[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基体，含有：第一导电型漏极区域、与所述漏极区域相邻接的第一导电型漂移区域、与所述漂移区域相邻接的第二导电型基极区域、以及与所述基极区域相邻接的第一导电型源极区域；

沟槽，形成于所述半导体基体内，具有与所述漂移区域相邻接的槽底、以及与所述基极区域和所述漂移区域相邻接的侧壁，并且从平面上看被形成为条纹状；

栅电极，配置于所述沟槽内，并且，在所述侧壁的部分经由栅极绝缘膜与所述基极区域相对；

屏蔽电极，配置于所述沟槽内，并且，位于所述栅电极与所述沟槽的所述槽底之间；

所述沟槽内的电气绝缘区域，在所述栅电极与所述屏蔽电极之间扩展，并且进一步地沿所述沟槽的所述侧壁以及所述槽底扩展后将所述屏蔽电极从所述侧壁以及所述槽底处隔开；

源电极，形成于所述半导体基体的上方，并且将所述源极区域与所述屏蔽电极电气连接；以及

漏电极，与所述漏极区域相邻接后形成，

其特征在于：

其中，所述屏蔽电极具有：高电阻区域，位于所述漏极区域一侧；以及低电阻区域，位于所述栅电极一侧。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电阻区域以及所述低电阻区域均由含有掺杂物的同一半导体材料所构成，并且所述低电阻区域的掺杂物浓度高于所述高电阻区域的掺杂物浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电阻区域以及所述低电阻区域分别由不同的材料所构成，并且构成所述低电阻区域的材料的电阻率低于构成所述高电阻区域的材料的电阻率。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电阻区域以及所述低电阻区域分别由同一材料所构成，并且以与所述屏蔽电极的条纹的长度方向垂直相交的平面进行切割后的所述低电阻区域的切面面积，大于以与所述屏蔽电极的长度方向垂直相交的平面进行切割后的所述高电阻区域的切面面积。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电阻区域以及所述低电阻区域位于互相接触的位置上。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电阻区域以及所述低电阻区域位于经由所述电气绝缘区域相互隔开的位置上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述电气绝缘区域中被夹在所述高电阻区域和所述低电阻区域之间的电气绝缘区域的一部分具有开口部，

并且所述高电阻区域以及所述低电阻区域经由所述开口部部分接触。

8.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述低电阻区域比所述高电阻区域更薄。

9.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电阻区域比所述低电阻区域更薄。