[发明专利]半导体输送部件和半导体载置部件

权利要求书

1.一种半导体输送部件，其具有输送基材和半导体载置部件，其特征在于：

该半导体载置部件包含纤维状柱状结构体，

该纤维状柱状结构体为具备多个纤维状柱状物的纤维状柱状结构体，

该纤维状柱状物沿相对于该输送基材大致垂直的方向取向，

该纤维状柱状结构体的与该输送基材相反的一侧的表面相对于玻璃表面的静摩擦系数为4.0以上。

2.如权利要求1所述的半导体输送部件，其特征在于：

所述纤维状柱状物的至少包含前端的部分由无机材料包覆。

3.如权利要求2所述的半导体输送部件，其特征在于：

所述被包覆的部分所具有的包覆层的厚度为1nm以上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体输送部件，其特征在于：

在所述输送基材与所述半导体载置部件之间具有粘合剂。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体输送部件，其特征在于：

所述纤维状柱状结构体为具备多个碳纳米管的碳纳米管集合体。

6.如权利要求5所述的半导体输送部件，其特征在于：

所述碳纳米管具有多层，该碳纳米管的层数分布的分布幅度为10层以上，该层数分布的最频值的相对频度为25％以下。

7.如权利要求6所述的半导体输送部件，其特征在于：

所述碳纳米管的长度为300μm以上。

8.如权利要求5所述的半导体输送部件，其特征在于：

所述碳纳米管具有多层，该碳纳米管的层数分布的最频值存在于层数10层以下，该最频值的相对频度为30％以上。

9.如权利要求8所述的半导体输送部件，其特征在于：

所述碳纳米管的长度为500μm以上。

10.一种半导体载置部件，其用于载置半导体，其特征在于：

包含具备多个纤维状柱状物的纤维状柱状结构体，

该纤维状柱状结构体的表面相对于玻璃表面的静摩擦系数为4.0以上。

11.如权利要求10所述的半导体载置部件，其特征在于：

所述纤维状柱状物的至少包含前端的部分由无机材料包覆。

12.如权利要求11所述的半导体载置部件，其特征在于：

所述被包覆的部分所具有的包覆层的厚度为1nm以上。

13.如权利要求10至12中任一项所述的半导体载置部件，其特征在于：

所述纤维状柱状结构体为具备多个碳纳米管的碳纳米管集合体。

14.如权利要求13所述的半导体载置部件，其特征在于：

所述碳纳米管具有多层，该碳纳米管的层数分布的分布幅度为10层以上，该层数分布的最频值的相对频度为25％以下。

15.如权利要求14所述的半导体载置部件，其特征在于：

所述碳纳米管的长度为300μm以上。

16.如权利要求13所述的半导体载置部件，其特征在于：

所述碳纳米管具有多层，该碳纳米管的层数分布的最频值存在于层数10层以下，该最频值的相对频度为30％以上。

17.如权利要求16所述的半导体载置部件，其特征在于：

所述碳纳米管的长度为500μm以上。