[发明专利]柔性GaN发光二极管

权利要求书

1.一种制造柔性的分立发光二极管LED的方法，所述方法包括：

在第一刚性衬底上形成LED结构；

使用粘合剂将所述LED结构附着到柔性支撑衬底上；

使用选择性激光剥离LLO过程来分离所述LED结构的至少一部分与所述第一刚性衬底；以及

将所述LED结构浸没在溶剂浴中，以溶解粘合剂并分离所述LED结构与所述支撑衬底以形成由于在所述LED结构的半导体膜中的应变而弯曲的悬浮连续膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一刚性衬底是蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述粘合剂是环氧树脂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述支撑衬底是刚性的。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述支撑衬底是玻璃或硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述支撑衬底是聚合物衬底。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述LED是基于GaN的半导体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述第一刚性衬底上形成所述LED结构包括：

通过金属有机化学气相沉积MOCVD或分子束外延MBE在所述第一刚性衬底上生长基于GaN的晶片；

使用微制造工序形成所述LED结构，其中所述微制造工序包括光刻、蚀刻和金属沉积；以及

使用脉冲紫外UV激光加工或金刚石切割锯来将所述晶片切割成LED芯片。

9.根据权利要求1所述的方法，其中使用所述粘合剂将所述LED结构附着到所述支撑衬底包括：

将所述粘合剂施加到所述LED结构；以及

将所述粘合剂固化到固态。

10.根据权利要求1所述的方法，其中使用选择性LLO过程来分离所述LED结构的至少一部分与所述第一刚性衬底包括：使在UV波长下的高能脉冲模式激光束穿过阴影掩模和穿过在所述LED结构的所述至少一部分之上的第一刚性衬底。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述高能脉冲模式激光束是266 nm YAG激光。

12.根据权利要求1所述的方法，其中多个LED结构被形成为在所述第一刚性衬底上的阵列，使得多个LED结构一起形成。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述LED结构具有附着到所述第一刚性衬底的第一端和与所述第一端相对的自由悬浮的第二端，其中所述方法还包括：

提供第二刚性衬底；

将所述第二端附着到第二刚性衬底；以及

移动第一和第二刚性衬底以调整所述LED结构的曲率。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述LED结构具有附着到所述第一刚性衬底的第一端和与所述第一端相对的自由悬浮的第二端，其中所述方法还包括调节所述LED结构的厚度、长度和应变，使得所述LED结构本身卷成管形LED。

15.根据权利要求1所述的方法，其中使用选择性LLO过程来分离所述LED结构的至少一部分与所述第一刚性衬底包括：选择性地剥离多边形或圆形台面；以及将周围区与所述第一刚性衬底分离以形成碗形微LED结构。

16.根据权利要求7所述的方法，其中在所述第一刚性衬底上形成所述LED结构包括：

创建在浸没步骤之后将会自由悬浮的条的端部处的发射微像素阵列；以及

创建金属接触层，使得可独立地操作个体像素，以便构成微显示面板。