[发明专利]介电膜及其制造方法、显示器及其制造方法、组成物以及触控面板

权利要求书

1.一种介电膜，包括：

形成于支撑基板上的介电层，包括硅氧烷聚合物及在所述硅氧烷聚合物内且平均粒度小于1微米的粒子，

通过聚合第一化合物及第二化合物制造所述硅氧烷聚合物，其中所述第一化合物具有化学式SiR¹_aR²_4-a，其中a为1至3，R¹为反应性基团，且R²为烷基或芳基，且所述第二化合物具有化学式SiR³_bR⁴_cR⁵_4-(b+c)，其中R³为交联官能基，R⁴为反应性基团，且R⁵为烷基或芳基，且其中b=1至2，且c=1至（4-b），

所述粒子包括硅、锌、铝、钇、镱、钨、钛硅、钛、锑、钐、镍、镍钴、钼、镁、锰、镧系元素、铁、铟锡、铜、钴铝、铬、铯或钙的氧化物，或所述粒子为氮化铝、氮化钽、氮化硼、氮化钛、氮化铜、氮化钼、氮化钨、氮化铁、氮化硅、氮化铟、氮化镓或氮化碳，

在所述硅氧烷聚合物中不具有-OH基团，在所述硅氧烷聚合物中不具有直接结合至Si的-H基团，

其中所述介电层对可见光为光学透射的且透射至少75%的入射于其上的光，且

其中所述介电层为电绝缘的且薄层电阻为1000 Ω/sq或更大。

2.根据权利要求1所述的介电膜，其中所述介电层的薄层电阻为1 × 10⁵ Ω/sq或更大。

3.根据权利要求1或2所述的介电膜，其中所述介电层的薄层电阻为1 × 10⁷ Ω/sq或更大。

4.根据权利要求1所述的介电膜，其雾度低于5%。

5.根据权利要求4所述的介电膜，其雾度低于2%。

6.根据权利要求1所述的介电膜，其折射率为1.5至2.0。

7.根据权利要求1所述的介电膜，其中所述粒子为平均粒度为400纳米或小于400纳米的纳米粒子。

8.根据权利要求7所述的介电膜，其中所述纳米粒子的平均粒度为200纳米或小于200纳米。

9.根据权利要求8所述的介电膜，其中所述纳米粒子的平均粒度小于50纳米。

10.根据权利要求1所述的介电膜，其中所述粒子的平均粒度为25纳米或小于25纳米。

11.根据权利要求1所述的介电膜，其中所述介电膜为包括电性绝缘部分及导电部分的光刻膜。

12.根据权利要求1所述的介电膜，其透射至少85%的入射于其上的可见光。

13.根据权利要求12所述的介电膜，其透射至少90%的入射于其上的可见光。

14.根据权利要求13所述的介电膜，其透射至少95%的入射于其上的可见光。

15.根据权利要求1所述的介电膜，其中所述支撑基板包括玻璃、石英、蓝宝石、有机聚合物或杂化有机-无机聚合物。

16.根据权利要求1所述的介电膜，其中所述支撑基板包括聚对苯二甲酸乙酯或聚甲基丙烯酸甲酯。

17.根据权利要求1所述的介电膜，其为显示器的一部分。

18.根据权利要求17所述的介电膜，其为触控显示器的一部分。