[发明专利]LED灯、LED灯的制造方法及LED装置的密封方法

权利要求书

1.一种LED灯，包括：

晶粒基板，其中所述晶粒基板上形成有半导体材料；

电极，用于跨越所述半导体材料施加偏压，以引起自所述半导体材料发射的光；以及

接着剂，将所述晶粒基板粘合至支撑基板，

其中所述接着剂为热导率大于0.1瓦/米·开尔文的聚合的硅氧烷聚合物，且其中所述硅氧烷聚合物在聚合物主链中具有硅及氧，以及与所述聚合物主链结合的芳基，且其中所述接着剂还包括粒子及改良将所述粒子并入至所述硅氧烷聚合物中的偶合剂；

其中所述接着剂不吸收光且透射或反射至少80%的入射于其上的可见光，

其中在所述硅氧烷聚合物中不含-OH基团，

其中所述接着剂中的所述粒子为银粒子，

其中所述粒子包括平均粒度大于1微米的第一组粒子与平均粒度小于100纳米的第二组粒子，

其中施加第一温度，所述第二组粒子在所述第一温度下熔化与所述第一组粒子连接在一起形成金属网格，然后施加第二温度，所述第二温度高于所述第一温度，使所述硅氧烷聚合物材料发生实质性交联。

2.根据权利要求1所述的LED灯，其中所述晶粒基板为从较大的晶圆切割的晶粒部分，且所述晶粒基板选自蓝宝石、SiC、Cu、GaN及Si。

3.根据权利要求1或2所述的LED灯，其中所述晶粒基板透射可见光，且具有透射在所提供的晶粒厚度上正交入射其的可见光范围内至少85%的光的材料。

4.根据权利要求2所述的LED灯，其中所述晶粒基板为蓝宝石。

5.根据权利要求1所述的LED灯，其中所述晶粒基板为导电基板。

6.根据权利要求1所述的LED灯，其中所述晶粒基板为半导体基板。

7.根据权利要求1所述的LED灯，其中所述半导体材料包括GaN以及其n掺杂区域及p掺杂区域。

8.根据权利要求1所述的LED灯，其中所述接着剂为光学透射的且透射80%或更多正交入射其的可见光。

9.根据权利要求1所述的LED灯，其中所述硅氧烷聚合物包括在所述聚合物主链中结合至硅的芳基。

10.根据权利要求1所述的LED灯，其中所述接着剂为光反射层，所述光反射层反射至少80%的以90度角入射于其上的光。

11.根据权利要求10所述的LED灯，其中所述接着剂为光反射层，所述光反射层反射至少90%的以90度角入射于其上的光。

12.根据权利要求1所述的LED灯，其中所述接着剂的热导率大于0.2瓦/米·开尔文。

13.根据权利要求12所述的LED灯，其中所述接着剂的热导率大于0.5瓦/米·开尔文。

14.根据权利要求13所述的LED灯，其中所述接着剂的热导率大于1.0瓦/米·开尔文。

15.根据权利要求1所述的LED灯，其中所述接着剂为热稳定的，当加热至至少200℃时，所述接着剂的质量损失小于2%。

16.根据权利要求1所述的LED灯，其中所述接着剂为热稳定的，当加热至至少300℃时，所述接着剂的质量损失小于2%。

17.根据权利要求15所述的LED灯，其中所述接着剂为热稳定的，当加热至至少200℃时，所述接着剂的质量损失小于1%。

18.根据权利要求1所述的LED灯，其中所述接着剂的折射率为1.4至1.6。