[发明专利]由有机材料组成的用于检测电磁辐射的装置在审
申请号: | 201580043898.3 | 申请日: | 2015-08-18 |
公开(公告)号: | CN106796945A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 艾米琳·贝尔托;奥利维尔·戴里斯;珍-伊夫·戈麦斯 | 申请(专利权)人: | 爱色乐居 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/42 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 王小衡,王天鹏 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 材料 组成 用于 检测 电磁辐射 装置 | ||
本专利申请要求法国专利申请FR14/57870的优先权权益,其将通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及一种用于检测电磁辐射、特别是光的装置和方法。
背景技术
已经提供了基于有机导体和半导体材料形成用于检测电磁辐射特别是光的装置,包括晶体管、发光二极管和光电检测器类型的电子部件。这种材料具有比常规技术工艺中使用的无机导体和半导体材料(例如硅)更容易沉积和更耐受的优点。
有机材料的使用有利地使能在任何类型的支撑件上、并且特别是在诸如塑料、纸、纸板或织物的柔性支撑件上、在大尺寸的支撑件(例如招牌)上或在诸如方便良好包装的一次性支撑件上形成检测装置。
专利申请WO 2013/045779描述了一种包括显示屏和致动构件检测装置的用户接口系统的示例,该致动构件检测装置包括由有机材料制成的光电二极管阵列。每个光电二极管与晶体管相关联。该晶体管使能在检测装置的控制期间选择光电二极管。
图1是光检测装置10的示例的部分简化的俯视图,光检测装置10包括分布在三行14和三列15中的光电二极管12的阵列。选择元件16与每个光电二极管12相关联。每个光电二极管12可以由有机导体和半导体材料制成。选择元件16可以对应于有机薄膜晶体管(OTFT)。晶体管16的源极和漏极当中的一个端子被连接到光电二极管12的电极,并且源极和漏极当中的另一个端子被连接到导电轨道18。导电轨道18可以被连接到同一行14的所有选择元件16。轨道18可以由例如金属的不透明材料制成。每个晶体管16的栅极可以由通过沿着垂直于行14的方向延伸的透明导体材料的轨道20发送的信号来控制。轨道20可以被连接到同一列15的所有晶体管12。在图1中,每个晶体管16被示出为与相关联的光电二极管12相邻。作为变化,每个晶体管16可以在相关联的光电二极管12上方形成。
在操作中旨在暴露于要被检测的电磁辐射的光电检测器的表面被称为检测器的有用表面积。装置10的缺点在于晶体管16的存在导致光电二极管12的有用表面积减小。另一个缺点在于制造检测装置的方法包括大量步骤,特别是光电二极管制造步骤和晶体管制造步骤。
发明内容
实施例的目的是克服先前描述的电磁辐射检测装置的全部或部分缺点。
实施例的另一个目的是增加旨在接收电磁辐射的检测装置的有用表面积。
实施例的另一个目的是减少检测装置制造方法的步骤数量。
因此,实施例设置了一种电磁辐射检测装置,包括至少一行光敏电阻器,每个光敏电阻器包括包含了有机半导体材料的有源部分。
根据实施例,检测装置包括以行和以列分布的光敏电阻器的阵列。
根据实施例,每个有源部分被连接到第一导电电极并且被连接到第二导电电极。
根据实施例,第一导电电极的功函数在5%的误差内等于第二导电电极的功函数。
根据实施例,检测装置包括单片层,该单片层包含有源部分并在对应于第一电极的第一导电轨道与对应于第二电极的第二导电轨道之间延伸。
根据实施例,检测装置还包括显示像素。
根据实施例,检测装置还包括电磁辐射发射器。
根据实施例,检测装置还包括波导。
根据实施例,波导包括旨在与至少一个物体接触的至少一个表面,光敏电阻器沿着所述表面的边缘分布。
实施例还设置了一种检测系统,包括先前定义的检测装置、用于选择光敏电阻器之一的电路、以及用于测量流经所选光敏电阻器的电流或表示跨所选光敏电阻器两端的电压的电压的电路。
实施例还提供了一种控制先前定义的电磁辐射检测装置的方法,包括从所述至少一行中选择光敏电阻器并且确定表示光敏电阻器的电阻的信号。
根据实施例,检测装置包括以行和以列分布的光敏电阻器的阵列、第一导电轨道和第二导电轨道,每个第一导电轨道被连接到同一行的光敏电阻器,并且每个第二导电轨道被连接到同一列的光敏电阻器。选择步骤包括以下步骤:
将连接到要被选择的光敏电阻器的第一导电轨道连接到第一电位的源极;
将其他第一导电轨道连接到不同于所述第一电位的第二电位的源极;
将连接到要被选择的光敏电阻器的第二导电轨道连接到第二电位的源极;并且
将其他第二导电轨道连接到所述第一电位的源极。
附图说明
前述和其他特征和优点将在以下结合附图的具体实施例的非限制性描述中详细讨论,其中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的