[发明专利]氧化物烧结体

说明书

技术领域

本发明涉及一种氧化物烧结体。

背景技术

由包含In、Ga及Zn的氧化物烧结体形成的氧化物半导体膜具有载流子的迁移率比非晶硅膜大的优点。从批量生产性的方面出发，该氧化物半导体膜一般使用包含含有In、Ga及Zn的氧化物烧结体的溅射靶并利用溅射法来形成。

作为含有In、Ga及Zn的氧化物烧结体，例如在专利文献1中记载了：维氏硬度为724、相对密度为96％且体电阻值为9.5×10^-4Ω·cm的氧化物烧结体；维氏硬度为534、相对密度为96％且体电阻值为1.4×10^-3Ω·cm的氧化物烧结体；维氏硬度为480、相对密度为97％且体电阻值为4.2×10^-3Ω·cm的氧化物烧结体等。另外，在专利文献2中记载了：抗折强度为117MPa且相对密度为95.9％的InGaZnO₄单相的氧化物烧结体；抗折强度为151MPa且相对密度为96.8％的InGaZnO₄单相的氧化物烧结体；抗折强度为157MPa且相对密度为96.1％的InGaZnO₄单相的氧化物烧结体；抗折强度为206MPa且相对密度为97.2％的InGaZnO₄单相的氧化物烧结体等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-052227号公报

专利文献2：日本特开2013-129545号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于提供机械强度高、相对密度高、体电阻值小且组成均匀的氧化物烧结体。

用于解决课题的手段

为了达成上述目的，本发明提供以下的发明。

[1]一种氧化物烧结体，其是包含In、Ga及Zn的氧化物烧结体，该氧化物烧结体在L＊a＊b＊表色系中的L＊为35以下。

[2]根据[1]所述的氧化物烧结体，其在L＊a＊b＊表色系中的a＊为-0.6以下。

[3]根据[1]或[2]所述的氧化物烧结体，其维氏硬度为400以上。

[4]根据[1]～[3]中任一项所述的氧化物烧结体，其抗折强度为90MPa以上。

[5]根据[1]～[4]中任一项所述的氧化物烧结体，其相对密度为99.5％以上。

[6]根据[1]～[5]中任一项所述的氧化物烧结体，其体电阻值不足1.0×10^-3Ω·cm。

[7]根据[1]～[6]中任一项所述的氧化物烧结体，其单相比例为97.5％以上。

[8]根据[1]～[7]中任一项所述的氧化物烧结体，其晶体粒径为9μm以下。

[9]一种氧化物烧结体，其是包含In、Ga及Zn的氧化物烧结体，该氧化物烧结体的维氏硬度为450以上，相对密度超过97％，体电阻值不足1.0×10^-3Ω·cm。

[10]一种氧化物烧结体，其是包含In、Ga及Zn的氧化物烧结体，该氧化物烧结体的抗折强度为130MPa以上，相对密度超过97％，体电阻值不足1.0×10^-3Ω·cm。

[11]根据[10]所述的氧化物烧结体，其维氏硬度为450以上。

[12]根据[9]～[11]中任一项所述的氧化物烧结体，其在L＊a＊b＊表色系中的L＊为35以下。

[13]根据[9]～[12]中任一项所述的氧化物烧结体，其在L＊a＊b＊表色系中的a＊为-0.6以下。

[14]根据[9]～[13]中任一项所述的氧化物烧结体，其相对密度为99.5％以上。

[15]根据[9]～[14]中任一项所述的氧化物烧结体，其单相比例为97.5％以上。

[16]根据[9]～[15]中任一项所述的氧化物烧结体，其晶体粒径为4.5μm以下。

[17]一种溅射靶，其包含[1]～[16]中任一项所述的氧化物烧结体。

发明效果

本发明的氧化物烧结体的机械强度高、相对密度高、体电阻值小且组成均匀。

具体实施方式

本发明的氧化物烧结体包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)，并且还包含氧(O)作为构成元素，优选使原子的99％以上由铟、镓、锌和构成，该氧化物烧结体可以以下述式来表示。

式：In_xGa_yZn_zO_a