[发明专利]配有热调节限制件的电磁处理单元

权利要求书

1.电磁处理单元(8)，其具有：

-主体(9)，主体具有正面(10)，

-光发射装置(21)，光发射装置具有多个发光源，光发射装置(21)在主体(9)上安装成向前辐射，

-流体回路(24)，流体回路配置在主体(9)内，用于光发射装置(21)的热调节，

-至少一个限制件(44，60，64，71)，限制件由不透发射光的材料制成，限制件有暴露于发射光的限制面(47，61，74，79)，

其特征在于，流体回路(24)具有在主体(9)中形成的至少一个引入通道(25)，以及在主体(9)中形成的至少一个排出通道(26)，所述限制件(44，60，64，71)安装在主体(9)上，以与主体进行热接触，限制面(47，61，74，79)的热调节由流体回路(24)提供。

2.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，限制件(44，60，64，71)由螺钉或者提供紧密接触的任何其它固定件固定于主体(9)。

3.根据权利要求1或2所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，一个限制件是围绕光发射装置(21)的反射框(44)；并且，反射框(44)的一个限制面是向前定向的光反射面(47)。

4.根据权利要求3所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，反射框(44)具有一个与光反射面(47)相对的后缘(50)，所述后缘(50)与主体(9)的正面(10)接触。

5.根据前述权利要求中任一项所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，一个限制件是安装在光发射装置(21)下面的下部反射器(60)；并且，下部反射器(60)的一个限制面是向上定向的光反射面(61)。

6.根据权利要求5所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，下部反射器(60)由一个定位板(64)安装在主体(9)上，定位板(64)配有校准下部反射器(60)相对于主体(9)的垂直位置的校准装置，所述定位板(64)用作主体(9)与下部反射器(60)之间的热桥。

7.根据权利要求6所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，定位板(64)具有向前定向的光反射面(70)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，一个限制件是上部吸收器(71)，上部吸收器安装在光发射装置(21)之上；并且，上部吸收器(71)的一个限制面是向前定向的光吸收面(74)。

9.根据权利要求8所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，上部吸收器(71)具有向下定向的光反射下边缘(79)，光反射下边缘定位在光发射装置(21)的上边缘附近。

10.根据前述权利要求中任一项所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，光发射装置(21)接纳于在主体(9)的正面(10)上形成的中空的前壳体(15)中。

11.根据权利要求10所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，所述引入通道(25)一方面通过引入孔(29)通到前壳体(15)中，另一方面通过入口(30)通到主体(9)的后端面(11)上。

12.根据权利要求11所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，排出通道(26)平行于引入通道(25)，所述排出通道(26)一方面通过排出孔(35)通到前壳体(15)中，另一方面通过出口(36)通到主体(9)的后端面(11)上。

13.根据权利要求12所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，流体回路(24)具有一对排出通道(26)，排出通道形成在引入通道(25)的每一侧。

14.根据前述权利要求中任一项所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，发光源设计成在红外线范围进行发射。

15.根据权利要求14所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，发光源是红外激光二极管。

16.根据权利要求15所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，发光源是VCSEL二极管。

17.用于对塑料型坯进行电磁处理的处理装置(1)，其特征在于，所述处理装置(1)具有一系列邻接的根据前述权利要求中任一项所述的电磁处理单元(8)。