[发明专利]红外线LED

权利要求书

1.一种光发射装置，所述光发射装置实现红外区内的宽带光发射并且包括光发射部件和发光体，所述发光体能够吸收由光发射部件发出的光的一部分，并且发出波长与被吸收的光不同的光，其中

A)主晶格中的发光体具有至少一种非铬的金属元素或半导体元素，

B)所述发光体的至少一种金属元素或半导体元素的原子的0.1至10摩尔％被铬取代，以及

C)发光体是选自硼酸盐、铝酸盐、镓酸盐、锗酸盐、钒酸盐、氮氧化物、硫化物、硅酸盐、硫酸盐、磷酸盐、钼酸盐、钨酸盐、氧化物或其混合物的半导体物质。

2.根据权利要求1所述的光发射装置，其特征在于，至少一种金属元素或半导体元素为13族元素。

3.根据权利要求1或2所述的光发射装置，其特征在于，至少一种金属元素或半导体元素具有主晶格中的四面体配位。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光发射装置，其特征在于，发光体的主晶格中的电负差Δ_X为0至1.5。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光发射装置，其特征在于，发光体具有以下公式

M¹_mM²_n(M³_oCr_p)_qA_r(公式I)

其中M¹为碱土金属、过渡金属或者镧系元素，

其中M²为碱土金属，

其中M³为Al、Ga、In、Ge或者Sc，

其中A为阴离子，

其中m为1至2的数值，

其中n为0至1的数值，

其中o为0.9至0.999的数值，

其中p为0.001至1的数值，

其中q为2至15的数值，以及

其中r为3至20的数值。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光发射装置，其特征在于，发光体以在800nm下相对于最大发射至少为10％的强度发射光。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光发射装置，其特征在于，至少一种金属元素或半导体元素具有主晶格中的四面体配位。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光发射装置，其特征在于，除了至少一种金属元素或半导体元素之外，包含至少一种另外的金属，特别优选M¹。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的光发射装置，其特征在于，存在另一种或多种不同于第一发光体的发光体。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的光发射装置，其特征在于，发光体以粒子形式存在，所述粒子特别优选具有1至20μm的中值直径d50。

11.一种近红外区内的宽带辐射器，所述宽带辐射器具有根据权利要求1至10中任一项所述的光发射装置。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的光发射装置的如下用途：血液成分的非侵入性确定、分析目的、热疗、改善创伤愈合、疼痛治疗、食品监控、热舱、安全检测器、运动检测器和自动取款机中的检测器。