[发明专利]RGBZ图像传感器的RGBZ像素信元单元的物理布局和结构

权利要求书

1.一种装置，包括：

图像传感器，其具有像素单元信元，所述像素单元信元具有物理布局，所述物理布局包括：

a)在半导体表面上的第一传输门晶体管门、第二传输门晶体管门和第三传输门晶体管门，所述第一传输门晶体管门、第二传输门晶体管门和第三传输门晶体管门分别定位在在第一可见光光电二极管区域、第二可见光光电二极管区域和第三可见光光电二极管区域与第一电容区域之间的所述半导体表面上；和

b)定位在所述半导体表面上的第四传输门晶体管门，其联接在第一红外光电二极管区域和第二电容区域之间，所述第四传输门晶体管门是在所述半导体表面上、联接在所述第二电容区域和光电二极管区域之间的唯一晶体管门；

c)晶体管门，其定位在所述红外光电二极管区域和所述第一电容区域之间的所述半导体表面上，

其中，所述物理布局还包括在所述半导体表面上的第一背漏晶体管门和第四背漏晶体管门，其分别定位在所述第一可见光光电二极管区域和所述第一红外光电二极管区域与电源电压的第一物理节点之间的所述表面上；以及第二背漏晶体管门和第三背漏晶体管门，其分别定位在所述第二可见光光电二极管区域和所述第三可见光光电二极管区域与所述电源的第二物理节点之间的所述半导体表面上，所述晶体管门是所述第一背漏晶体管门。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述晶体管门是背漏晶体管门。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一背漏晶体管门和所述第四背漏晶体管门定位在所述像素单元信元的与所述第二背漏晶体管门和所述第三背漏晶体管门相反的侧上的所述半导体表面上。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述物理布局还包括第一背漏晶体管门、第二背漏晶体管门、第三背漏晶体管门和第四背漏晶体管门，其分别定位在：

i)所述第一可见光光电二极管区域和电源电压的第一物理节点之间；

ii)所述第二可见光光电二极管区域和所述电源电压的第二物理节点之间；

iii)所述第三可见光光电二极管区域和所述电源电压的第三物理节点之间；

iv)所述第一红外光电二极管区域和所述电源电压的第四物理节点之间的所述半导体表面上。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第一背漏晶体管门、第二背漏晶体管门、第三背漏晶体管门和第四背漏晶体管门定位在所述像素单元信元的不同角部上的所述半导体表面上。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第四传输门晶体管门和所述背漏晶体管门定位在所述红外光电二极管区域的相反端上的所述半导体表面上。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，多个第一可见光滤光器、多个第二可见光滤光器和多个第三可见光滤光器以及一红外滤光器在所述半导体表面上方沿同一水平布置。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述图像传感器还包括在所述第一可见光光电二极管区域上方的第一颜色滤光器、在所述第二可见光光电二极管区域上方的第二颜色滤光器、在所述第三可见光光电二极管区域上方的第三颜色滤光器、和在所述第一红外光电二极管区域上方的红外滤光器。