[发明专利]包含片状不连续元件的蓄电系统、片状不连续元件及其制造方法和应用

权利要求书

1.一种厚度小于2mm的蓄电系统，其包括至少一个片状不连续元件，其中，所述至少一个片状不连续元件的至少一个表面形成为相对于与所述表面接触的材料减小了化学反应性、惰性和/或减小了透射性和/或是不透射的。

2.根据权利要求1所述的蓄电系统，其特征在于，所述至少一个表面形成为阻挡层。

3.根据权利要求2所述的蓄电系统，其特征在于，所述阻挡层形成为针对于金属扩散的阻挡层。

4.根据权利要求3所述的蓄电系统，其特征在于，所述阻挡层形成为针对于碱金属和/或碱土金属的扩散的阻挡层。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的蓄电系统，其特征在于，所述阻挡层通过所述至少一个表面的垂直组成变化以没有直接进入体积中的扩散路径而实现。

6.根据权利要求5所述的蓄电系统，其特征在于，在所述至少一个表面的所述垂直组成变化中包括用于碱金属和/或碱土金属的吸收材料。

7.根据权利要求5和6中任一项所述的蓄电系统，其特征在于，所述至少一个表面的所述垂直组成变化通过一系列的至少两个层形成，其中彼此相邻的层分别具有不同的组成。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的蓄电系统，其特征在于，所述至少一个表面的所述垂直组成变化通过一个涂层实现。

9.根据权利要求8所述的蓄电系统，其特征在于，所述涂层通过等离子体辅助的工艺获得，优选通过PECVD法实现。

10.根据权利要求8所述的蓄电系统，其特征在于，所述涂层通过原子层沉积(ALD)工艺获得。

11.根据前述权利要求中任一项所述的蓄电系统，其特征在于，所述至少一个表面的阻挡效果形成为针对于锂有效。

12.根据前述权利要求中任一项所述的蓄电系统，其特征在于，所述阻挡层的阻挡效果通过在涂覆电导体或阳极之前的单独退火步骤而启动。

13.根据前述权利要求中任一项所述的蓄电系统，其特征在于，在所述阳极的退火过程中启动所述阻挡层的阻挡效果。

14.根据前述权利要求中任一项所述的蓄电系统，其特征在于，用于所述至少一个片状不连续元件的所述衬底材料特别在30μm的厚度下具有在200nm至270nm的范围内0.1％或更大的透过率、和/或特别优选在222nm时大于0.5％的透过率、特别优选在248nm时大于0.3％的透过率、特别优选在282nm时大于3％的透过率、特别优选在308nm时大于50％的透过率、以及特别优选在351nm时大于88％的透过率；并且特别在100μm的厚度下具有在200至270nm范围内0.1％或更大的透过率、和/或特别优选在222nm时大于0.5％的透过率、特别优选在248nm时大于0.3％的透过率、特别优选在282nm时为大于0.1％的透过率、特别优选在308nm时大于30％的透过率、以及特别优选在351nm时大于88％的透过率。

15.根据前述权利要求中任一项所述的蓄电系统，其特征在于，所述片状不连续元件具有这样的透过率值，其由于阻挡层而相对于衬底材料的透过率值降低小于60％，优选降低小于30％，以及最优选降低小于10％。

16.根据前述权利要求中任一项所述的蓄电系统，其特征在于，所述阻挡涂层是非结晶的。

17.根据前述权利要求中任一项所述的蓄电系统，其特征在于，所述涂层含有Si的氮化物和/或氧化物和/或碳化物。

18.根据前述权利要求中任一项所述的蓄电系统，其特征在于，所述涂层含有Al、Cr、Ti、Zr、Hf和/或Ta的氮化物和/或氧化物。

19.根据前述权利要求中任一项所述的蓄电系统，其特征在于，所述片状不连续元件呈现的厚度偏差相对于晶片或衬底尺寸不大于25μm、优选不大于15μm、特别优选不大于10μm以及非常特别优选不大于5μm，所述晶片或衬底尺寸在>100mm直径、特别100mm*100mm横向尺寸的范围内、优选在>200mm直径、特别200mm*200mm横向尺寸的范围内、特别优选在>400mm直径、特别400mm*400mm横向尺寸的范围内。