[发明专利]磁电式传感器在审
| 申请号: | 201580031001.5 | 申请日: | 2015-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN106662623A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 埃马纽埃尔·德苏维乐;让-保罗·卡斯特拉;博多特·德莫特斯-梅纳德 | 申请(专利权)人: | 泰雷兹公司 |
| 主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 徐川,姚开丽 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁电 传感器 | ||
1.一种磁电式传感器(10),包括磁传感器(12),所述磁传感器(12)具有表面(S),并且当所述磁传感器(12)处于外部磁场(Bext)中时,所述磁传感器(12)生成响应信号(V),所述外部磁场(Bext)生成通过所述表面的外部通量,其特征在于,所述磁电式传感器(10)包括:
-控制电路(14),其在输入处获取所述磁传感器的所述响应信号并且在输出处生成反馈电流(iCR);以及
-导线(16),其置于所述磁传感器(12)附近并且连接到所述控制电路(14)的所述输出处,所述反馈电流流过所述导线,
所述控制电路和所述导线使得生成反馈磁场(BCR),在每一时刻,所述反馈磁场(BCR)通过所述磁传感器(12)的所述表面的反馈通量基本上抵消外部通量,
所述磁电式传感器的输出信号由所述反馈电流形成。
2.根据权利要求1所述的磁电式传感器(10),其中,所述磁传感器(12)为超导磁力计。
3.根据权利要求1或2所述的磁电式传感器(10),其中,所述外部磁场(Bext)可随时间变化,所述磁电式传感器(10)的所述输出信号为对所述外部磁场的测量结果。
4.根据前述权利要求中任一项所述的磁电式传感器(10),其中,所述磁电式传感器(10)的所述输出信号为对所述外部磁场(Bext)的线性测量结果。
5.根据前述权利要求中任一项所述的磁电式传感器(10),其中,所述磁传感器的所述表面是平面的,并且其中,所述导线基本上放置在所述表面的平面中。
6.根据前述权利要求中任一项所述的磁电式传感器(10),其中,所述控制电路(14)包括比较装置(22)和电流源(24),所述比较装置(22)将所述磁传感器(12)的所述响应信号(V)与参考信号(V0)相比较并生成比较信号,所述电流源(24)由所述比较信号控制并生成所述反馈电流(iCR)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的磁电式传感器(210),其中,所述磁传感器(212)包括在所述控制电路(214)的两个输入端子之间串联连接的多个基本磁传感器(212-i)。
8.根据前述权利要求中任一项所述的磁电式传感器(110),其中,所述导线(116)配置为形成至少一个环路。
9.根据权利要求8所述的磁电式传感器(110),其中,所述环路包括多匝(N)。
10.根据权利要求7所述的磁电式传感器(210),其中,对所述导线(216)进行配置以使在两个相邻的基本磁传感器(212-i)之间形成至少一个曲折。
11.根据前述权利要求中任一项所述的磁电式传感器,其包括壳体,所述壳体界定与寄生磁扰动隔离的容腔(18,118,218),并且所述容腔(18,118,218)内容置有所述磁传感器和所述导线。
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