[发明专利]基于统计的裸芯性能被延迟直到封装之后的非易失性存储器测试

说明书

这里所述的各种实施例包括用于封装非易失性存储器的系统、方法和/或装置。在一个方面中，方法包括，根据对应于一组非易失性存储器裸芯的预定的基准和预定统计裸芯性能信息，从该组非易失性存储器裸芯选择多个非易失性存储器裸芯，在所述多个非易失性存储器裸芯上已经将预定的裸芯级和子裸芯级测试延迟直到封装之后。方法还包括将所选择的多个非易失性存储器裸芯封装到存储器装置中。在所述封装之后，方法还包括在所述存储器装置中的多个非易失性存储器裸芯上进行一组测试以识别在所述存储器装置中的非易失性存储器裸芯中的满足预定的有效性基准的存储器的各个单元，其中所进行的该组测试包括被延迟的预定的裸芯级和子裸芯级测试。

技术领域

公开的实施例一般地涉及存储器系统，并且具体地涉及用于非易失性储存的低测试存储器堆叠。

背景技术

半导体存储器装置，包括闪速存储器，通常利用存储器单元来将数据贮存为电的值，诸如电荷或电压。闪速存储器单元，例如，包括具有浮置栅极的单个晶体管，该浮置栅极被用于储存数据值的电荷表示。闪速存储器是可以电擦除并且重新编程的非易失性数据存储器装置。更一般地，非易失性存储器(例如，闪速存储器，以及使用任何多种技术实现的其它类型的非易失性存储器)在即使未通电时保留储存的信息，与需要电源来维持储存的信息的易失性存储器相反。

传统制造工作流程利用广泛的测试以产生高质量的存储器装置和/或存储器组件(例如，存储器装置的组件)。该测试通常表示生产成本的很大部分。此外，广泛测试还可能甚至在存储器装置到达消费者之前在存储器装置上放置大量的损耗。例如，闪速存储器装置通常具有被表达为编程/擦除(P/E)周期的数量的可行的寿命，该编程/擦除(P/E)周期能够在闪速存储器变得不可靠之前进行。在传统制造工作流程中进行的某些测试需要在闪速存储器上进行大量的P/E周期，从而减少了消费者可用的剩余的寿命。

发明内容

在所附权利要求的范围中的系统、方法和装置的各种实现方式的每一个具有几个方面，没有其单独的一个为这里所述的属性负全部的责任。在不限制所附权利要求的范围的情况下，在考虑本公开之后，并且特别是在考虑名称为“具体实施方式”的章节之后，人们将理解各种实施方式的方面将如何被用于在非易失性存储器模块中基于非易失性存储器模块中的存储器的单元的特征重新映射物理地址。在各种实现方式中，非易失性存储器模块是储存系统中的组件和/或在储存控制器外部并且与其耦接的组件。

在一个方面中，多个非易失性存储器裸芯在进行某些裸芯级和子裸芯级测试之前，被选择并且封装到存储器装置中。在封装之后，在存储器装置中的多个非易失性存储器裸芯上进行一组测试以识别在所述存储器装置中的非易失性存储器裸芯中的满足预定的有效性基准的存储器的各个单元。这样做时，减少了非易失性存储器装置的测试和封装的成本，如在下面更加详细地描述的。

附图说明

使得本公开可以被更加详细地理解，可以通过参考各种实现方式的特征而获得具体的说明，其中的一些在附图中示出。但是，附图仅示出本公开的更加显著的特征并且因此不应被认为是限制性的，因为该说明可能具有其他有效特征。

图1A是示出根据一些实施例的数据储存环境的实现方式的框图。

图1B是示出根据一些实施例的数据储存系统的实现方式的框图。

图2A是示出根据一些实施例的示例储存控制器的框图。

图2B是示出根据一些实施例的示例非易失性存储器模块的框图。

图3A-3B示出了根据一些实施例的分别不具有或者具有对存储器的坏的单元的重新映射的存储器模块的操作。

图4A-4B示出了根据一些实施例的分别不具有或者具有对存储器的坏的单元的物理-到-物理重新映射的RAID条带。

图5示出了根据一些实施例的使用统计的裸芯信息的对用于封装到存储器模块中的存储器裸芯的选择。