[发明专利]用于多步骤磁性隧道结(MTJ)蚀刻的替代导电硬掩模

权利要求书

1.一种磁性隧道结MTJ装置，包括：

第二电极层上的第一导电硬掩模，所述第二电极层在MTJ层堆叠上并电耦合至所述MTJ层堆叠；

所述第一导电硬掩模的侧壁、所述第二电极层的侧壁以及所述MTJ层堆叠的表面上的第一间隔体；以及

与所述第一间隔体的侧壁对准的第二导电硬掩模，所述第二导电硬掩模在所述第一导电硬掩模和所述第一间隔体上，其中所述第二导电硬掩模被安排成与所述第一导电硬掩模和所述第二电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二导电硬掩模的横向尺寸对准。

2.如权利要求1所述的MTJ装置，其特征在于，所述第二导电硬掩模电耦合至所述第一导电硬掩模。

3.如权利要求1所述的MTJ装置，其特征在于，所述第二导电硬掩模是由钽、铪和铂构成的组中的材料。

4.如权利要求1所述的MTJ装置，其特征在于，所述第一间隔体的厚度在10纳米与50纳米之间。

5.如权利要求1所述的MTJ装置，其特征在于，所述第一间隔体上的第一介电层是SiNx材料。

6.如权利要求1所述的MTJ装置，其特征在于，进一步包括电耦合至所述MTJ层堆叠的第一电极层。

7.如权利要求6所述的MTJ装置，其特征在于，进一步包括所述第一电极层和所述第二导电硬掩模上的第二间隔体。

8.如权利要求7所述的MTJ装置，其特征在于，进一步包括所述MTJ层堆叠的侧壁上、所述第一间隔体的侧壁上以及所述第二导电硬掩模的侧壁上的所述第二间隔体。

9.如权利要求7所述的MTJ装置，其特征在于，进一步包括所述第二间隔体上的第二介电层。

10.如权利要求9所述的MTJ装置，其特征在于，进一步包括延伸通过所述第二间隔体和所述第二介电层并电耦合至所述第二导电硬掩模的导电互连。

11.如权利要求1所述的MTJ装置，其特征在于，所述MTJ装置被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。

12.一种磁性隧道结MTJ装备，包括：

用于掩盖耦合至MTJ层堆叠的第一电极层以及用于提供至所述第一电极层的导电路径的第一装置，所述第一装置邻接所述第一电极层；

用于保护所述第一装置的侧壁的装置，所述用于保护的装置邻接所述第一装置的所述侧壁、所述第一电极层的侧壁、以及所述MTJ层堆叠的表面；以及

用于掩盖MTJ层堆叠以及用于电耦合至所述导电路径的第二装置，所述第二装置与所述用于保护的装置的侧壁对准并邻接所述第一装置的表面，其中所述第二装置被安排成与所述第一装置和所述第一电极层交叠并且其中所述MTJ层堆叠的横向尺寸与所述第二装置的横向尺寸对准。

13.如权利要求12所述的MTJ装备，其特征在于，所述MTJ装备被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。