[发明专利]多结太阳能电池

权利要求书

1.一种多结太阳能电池(MS)，其具有：

第一子电池(SC1)，所述第一子电池由化合物构成，该化合物由InGaAs构成，其中，所述第一子电池(SC1)具有第一晶格常数(ASC1)；以及

第二子电池(SC2)，所述第二子电池具有第二晶格常数(ASC2)，其中，所述第一晶格常数(ASC1)比所述第二晶格常数(ASC2)至少大以及

变质缓冲区(MP1)，其中，所述缓冲区(MP1)构造在所述第一子电池(SC1)与所述第二子电池(SC2)之间，并且所述缓冲区(MP1)具有至少三个层的序列，并且在该序列中，晶格常数朝所述第一子电池(SC1)的方向逐层提高，并且所述缓冲区的层的晶格常数大于所述第二晶格常数(ASC2)，其中，所述变质缓冲区的第四层具有第四晶格常数(MP1A4)，并且所述第四晶格常数(MP1A4)大于所述第一晶格常数(ASC1)，

其特征在于，

在所述变质缓冲区(MP1)与所述第一子电池(SC1)之间构造有用于补偿所述变质缓冲区(MP1)的残余张力的数量为N的补偿层(KOM1，KOM2，...KOMN)，并且相应的补偿层(KOM1，KOM2，...KOMN)的晶格常数(A1，A2，...AN)比第一晶格常数(ASC1)小一个数值ΔA_N，其中并且所述补偿层(KOM1，KOM2，...KOMN)具有大于1％的铟含量，并且所述数量为N的补偿层(KOM1，KOM2，...KOMN)的厚度(KOMD₁，KOMD₂，...KOMD_N)这样地选择，使得适用：

Σn=1N(KOMDn×ΔAn)>10-19m2]]>

其中，KOMD_n表示第n补偿层的厚度，所述数量N包括除零以外的自然数的集合。

2.根据权利要求1所述的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，所述数量为N的补偿层(KOM1，KOM2，...KOMN)的厚度(KOMD₁，KOMD₂，...KOMD_N)总体上大于150nm。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的多结太阳能电池(MS)，其特征在于，相应的数量为N的补偿层(KOM1，KOM2，...KOMN)的晶格常数(A₁，A₂，...A_N)比所述第一晶格常数(ASC1)至少小一个数值ΔA_N，其中