[发明专利]转印薄膜、转印薄膜的制造方法、透明层叠体、透明层叠体的制造方法、静电电容型输入装置及图像显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种转印薄膜、转印薄膜的制造方法、透明层叠体、透明层叠体的制造方法、静电电容型输入装置及图像显示装置。具体而言，涉及一种可以将手指的接触位置作为静电电容的变化检测出的静电电容型输入装置、能够使用于该静电电容型输入装置的透明层叠体、为了制造透明层叠体而使用的转印薄膜和转印薄膜的制造方法、使用了该转印薄膜的透明层叠体的制造方法、及作为构成要件而具备该静电电容型输入装置的图像显示装置。

背景技术

近年来，在移动电话、汽车导航、个人计算机、售票机、银行终端等电子设备中，在液晶装置等的表面配置有平板型输入装置，可以边参考显示于液晶装置的图像显示区域的指令图像，边用手指或触控笔等接触显示有该指令图像的部位，从而进行对应于指令图像的信息输入。

这种输入装置(触控面板)中有电阻膜型、静电电容型等。然而，电阻膜型输入装置是薄膜和玻璃的两片结构且是按压薄膜而使之短路的结构，因此具有动作温度范围窄、容易老化的缺点。

与此相对，静电电容型输入装置具有可以仅在一张基板上形成透光性导电膜的优点。这种静电电容型输入装置中有如下类型的静电电容型输入装置，例如使电极图案在彼此交叉的方向上延伸，当手指等进行接触时，检测出在电极之间的静电电容变化而检测输入位置(例如参考下述专利文献1～3)。

当使用这些静电电容型输入装置时，例如在映射有光源时的正反射附近稍微偏离的位置存在透明电极图案明显、美观性差等可见性的问题。与此相对，在专利文献1中记载有在基板上形成ITO(Indium Tin Oxide)图案，且仅在ITO图案的上侧交替地层叠由SiO₂等低折射率介电材料构成的层和由Nb₂O₅等高折射率介电材料构成的层，由此通过基于那些各层的光干渉效应，透明电极图案隐形化，成为中性色调。

在专利文献2中记载有在基板上形成ITO图案之前仅在ITO图案的下侧层叠SiO₂等低折射率层和Nb₂O₅等高折射率层之后形成ITO图案，从而能够防止显现透明电极图案形状。

在专利文献3中记载有在基板上形成ITO图案之前仅在ITO图案的下侧层叠SiO₂等低折射率层和Nb₂O₅等高折射率层之后形成ITO图案，从而能够使透明电极图案、图案彼此之间的交叉部不明显。

作为记载于这些文献中的透明绝缘层、透明保护膜等透明膜的形成方法已知有各种方法。其中，在液晶或有机EL显示器上具备静电电容型触控面板的智能手机或平板PC中，开发并发表有在前面板(直接用手指接触的面)中使用了以Corning Incorporated的Gorilla Glass为代表的强化玻璃的产品。并且，已上市有在前面板的一部分形成有用于设置压敏(不是静电电容变化，而是基于按压的机械机构)开关的开口部的产品。这些强化玻璃强度高且难以加工，因此为了形成开口部，通常是在强化处理之前形成开口部，之后进行强化处理。

在专利文献4、5中，作为透明绝缘层、透明保护膜的形成方法仅记载有使用有机材料时进行涂布的方法。然而，若在具有上述开口部的经过强化处理后的基板上，通过记载于专利文献4、5中的涂布法并使用记载于专利文献3、4中的材料来形成透明绝缘层、透明保护膜，则会产生抗蚀剂成分从开口部泄漏和挤出，导致需要去除挤出部分的工序，存在着生产率显著下降的问题。

另一方面，在专利文献6及7中记载有滤色片用转印材料，并提出有将转印材料层压于基板上。然而，这些文献中虽然提及利用于液晶表示装置，但关于改善其ITO图案可见性并未进行研究，并且，关于对静电电容型输入装置的转印材料的应用也未进行记载。

近年来，为了解决可看见透明电极图案的问题而已知有如下方法，即，以第一透明膜、透明电极图案、第二透明膜、透明保护膜的顺序进行层叠，并将把各层的折射率控制为特定范围的结构的透明层叠体使用于静电电容型输入装置(参考专利文献8)。在专利文献8中，第二透明膜、透明保护膜分别使用不同的转印薄膜并依次转印。

以往技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利公开2010-86684号公报

专利文献2:日本专利公开2010-152809号公报

专利文献3:日本专利公开2010-257492号公报

专利文献4:国际公开WO2010-061744号公报

专利文献5:日本专利公开2010-061425号公报