[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法

权利要求书

1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，其为具有高分子薄膜基材且在所 述高分子薄膜基材的至少一个主表面上具有透明导电层的透明导电性薄膜，

所述透明导电层为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，

所述透明导电层的残余应力为600MPa以下，

所述透明导电层的电阻率为1.1×10^-4Ω·cm～3.0×10^-4Ω·cm，

所述透明导电层的厚度为15nm～40nm。

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导电层的电 阻率为1.1×10^-4Ω·cm～2.2×10^-4Ω·cm。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导 电层是通过热处理使形成于所述高分子薄膜基材上的非晶质透明导电层进 行晶体转化而得到的，

相对于所述非晶质透明导电层，所述透明导电层的面内的最大尺寸变化 率为-1.0～0％。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，其 为长条状，且被卷绕成卷状。

5.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述非晶质透 明导电层在110～180℃、150分钟以下进行晶体转化。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所 述透明导电层的由{氧化锡/(氧化铟+氧化锡)}×100(％)表示的氧化锡的比 率为0.5～15重量％。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所 述透明导电层为自所述高分子薄膜基材侧起依次层叠第一铟-锡复合氧化物 层、第二铟-锡复合氧化物层而成的2层膜，

所述第一铟-锡复合氧化物层的氧化锡含量为6重量％～15重量％，

所述第二铟-锡复合氧化物层的氧化锡含量为0.5重量％～5.5重量％。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所 述透明导电层为自所述高分子薄膜基材侧起依次层叠第一铟-锡复合氧化物 层、第二铟-锡复合氧化物层、第三铟-锡复合氧化物层而成的3层膜，

所述第一铟锡氧化物层的氧化锡的含量为0.5重量％～5.5重量％，

所述第二铟锡氧化物层的氧化锡的含量为6重量％～15重量％，

所述第三铟锡氧化物层的氧化锡的含量为0.5重量％～5.5重量％。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，在 所述高分子薄膜基材的至少一个主表面上形成有利用湿式成膜法形成的有 机系电介质层，在所述有机系电介质层上形成有所述透明导电层。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，在 所述高分子薄膜基材的至少一个主表面上形成有利用真空成膜法形成的无 机系电介质层，在所述无机系电介质层上形成有所述透明导电层。

11.根据权利要求1～8中任一项所述的透明导电性薄膜，其特征在于，在 所述高分子薄膜基材的至少一个主表面上依次形成有利用湿式成膜法形成 的有机系电介质层、利用真空成膜法形成的无机系电介质层、所述透明导电 层。