[发明专利]多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件

权利要求书

1.一种多晶氮化镓自立基板，由在所述基板的大致法线方向沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成，其中，基板表面的利用电子背散射衍射法亦即EBSD的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°，所述特定结晶方位为氮化镓能够具有的结晶方位。

2.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：利用所述电子背散射衍射法亦即EBSD的反极图成像测定的氮化镓系单晶粒子中的80％以上具有1～10°范围内的倾斜角。

3.根据权利要求1或2所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：所述氮化镓系单晶粒子的倾斜角按照高斯分布来分布。

4.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：具有1×104个/cm2以下的缺陷密度。

5.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：具有1×102个/cm2以下的缺陷密度。

6.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：所述多晶氮化镓自立基板在其大致法线方向具有单晶结构。

7.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：在所述多晶氮化镓自立基板的表面露出的所述氮化镓系单晶粒子不夹隔晶界而连通至该多晶氮化镓自立基板的背面。

8.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：在所述多晶氮化镓自立基板的表面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT与在所述多晶氮化镓自立基板的背面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DB不同。

9.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：在所述多晶氮化镓自立基板的表面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT与在所述多晶氮化镓自立基板的背面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DB之比DT/DB大于1.0。

10.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：所述氮化镓系单晶粒子在所述基板的最外表面的截面平均直径在10μm以上。

11.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：所述多晶氮化镓自立基板具有20μm以上的厚度。

12.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：所述多晶氮化镓自立基板的尺寸为直径50.8mm以上。

13.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：所述氮化镓系单晶粒子掺杂了n型掺杂物或者p型掺杂物。

14.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：所述氮化镓系单晶粒子不含掺杂物。

15.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：所述氮化镓系单晶粒子是混晶化的粒子。

16.根据权利要求1所述的多晶氮化镓自立基板，其特征在于：构成所述多晶氮化镓自立基板的所述氮化镓系单晶粒子的结晶方位在与基板法线方向正交的板表面方向上没有取向。

17.一种发光元件，包括：权利要求1～16中任意一项所述的多晶氮化镓自立基板和形成于该基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上由多个半导体单晶粒子构成的层，所述层在所述基板的大致法线方向具有单晶结构。