[发明专利]冷却器及具有该冷却器的半导体装置在审
| 申请号: | 201580001855.9 | 申请日: | 2015-02-03 |
| 公开(公告)号: | CN105531819A | 公开(公告)日: | 2016-04-27 |
| 发明(设计)人: | 小山贵裕;寺沢德保 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/473 | 分类号: | H01L23/473 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡曼;曹振华 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 冷却器 具有 半导体 装置 | ||
1.一种冷却器,对半导体模块进行冷却,其特征在于,包括:
顶板;
套筒,该套筒具有侧板和底板,且所述侧板固接于所述顶板;
制冷剂流入口,该制冷剂流入口使制冷剂流入由所述顶板和所述套筒围住的空间;
制冷剂流出口,该制冷剂流出口使制冷剂从所述空间流出;
多个翅片,这多个翅片固接于所述顶板,并分别以分离的方式配置于所述套筒内的主制冷剂路的左右,且被配置成朝所述主制冷剂路的流入侧倾斜;
导热销,该导热销配置于所述翅片的制冷剂流入侧的所述顶板;以及
板状的双金属阀,该双金属阀是弯曲的,所述双金属阀的一端与所述导热销连接,另一端是自由端。
2.如权利要求1所述的冷却器,其特征在于,
所述翅片的倾斜角度以主制冷剂路为基准处于30度以上60度以下的范围。
3.如权利要求1或2所述的冷却器,其特征在于,
所述制冷剂是液体。
4.如权利要求3所述的冷却器,其特征在于,
在所述主制冷剂路的下游侧、且在所述制冷剂流出口的前方包括阻止板。
5.如权利要求3所述的冷却器,其特征在于,
相邻的所述导热销的设置间隔为相邻的翅片彼此的间隔的两倍以上。
6.如权利要求3所述的冷却器,其特征在于,
所述双金属阀能变形为朝制冷剂流入方向弯曲的第一形状和随着温度比所述第一形状时的温度高而接近直线状的第二形状,
在所述第一形状时,所述双金属阀的所述自由端与相邻的所述翅片之间的距离同相邻的所述翅片彼此的间隔相等。
7.如权利要求6所述的冷却器,其特征在于,
所述双金属阀是将第一金属片与第二金属片接合而形成的,该第二金属片的膨胀率比所述第一金属片的膨胀率高,
所述第一金属片是铁和镍的合金板,
所述第二金属片是在铁和镍的合金板中添加了从由锰、铬、铜构成的一组金属中选择出的一种或多种金属而获得的。
8.如权利要求7所述的冷却器,其特征在于,
所述双金属阀的厚度为0.5mm以上、5mm以下。
9.一种半导体装置,具有权利要求3所述的冷却器,其特征在于,包括:
电路基板,该电路基板具有绝缘基板、所述绝缘基板的上表面的电路部及所述绝缘基板的下表面的金属部;
半导体芯片,该半导体芯片与所述电路部电连接,并由所述冷却器冷却;
第一外部端子,该第一外部端子与所述半导体芯片连接;
第二外部端子,该第二外部端子与所述电路部连接;以及
树脂部,除了所述金属部的与所述绝缘基板相反一侧的面、所述第一外部端子的一端及所述第二外部端子的一端之外,该树脂部收容所述电路基板、所述半导体芯片、所述第一外部端子、所述第二外部端子,
多个所述翅片与所述金属部热连接,
所述导热销配置于所述绝缘基板的下方。
10.如权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,
具有多个中间组装体,该中间组装体具有所述电路基板、所述半导体芯片、所述第一外部端子及所述第二外部端子,
所述半导体装置还包括:
金属底座,该金属底座配置于多个所述金属部与所述顶板之间;
第一连接构件,该第一连接构件将多个所述金属部与所述金属底座之间热连接;以及
第二连接构件,该第二连接构件将所述金属底座与所述顶板之间热连接。
11.如权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,
所述顶板是所述金属部。
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