[发明专利]微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及用于显示的微发光二极管，更具体地，涉及一种用于转移微发光二极管的方法、一种用于制造微发光二极管装置的方法、一种微发光二极管装置以及一种包含微发光二极管装置的电子设备。

背景技术

微发光二极管(MicroLED)技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵列。目前，微发光二极管技术正开始发展，工业界正期待有高品质的微发光二极管产品进入市场。高品质微发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。

在制造微发光二极管的过程中，首先在施主晶圆上形成微发光二极管，接着将微发光二极管转移到接受衬底上。接受衬底例如是显示屏。

在制造微发光二极管过程中的一个困难在于如何将微发光二极管从施主晶圆上转移到接受衬底上。在现有技术中，一般通过静电拾取的方式来执行所述转移。在静电拾取的过程中需要使用转移头阵列。转移头阵列的结构相对复杂，并需要考虑它的可靠性。制造转移头阵列需要额外的成本。在利用转移头阵列的拾取之前需要产生相位改变。另外，在使用转移头阵列的制造过程中，微发光二极管用于相位改变的热预算受到限制，通常小于350℃，或者更具体地，小于200℃；否则，微发光二极管的性能会劣化。在使用转移头阵列的制造过程中通常需要两次转移，即，从施主晶圆到承载晶圆的转移以及从承载晶圆到接受衬底的转移。

美国专利US8,333,860B1公开了一种用于传送微器件的传送头阵列，其中通过向传送头中的电极施加电压来拾取微器件。该专利在此全部引入作为参考。

美国专利US8,426,227B1公开了一种用于形成微发光二极管阵列的方法，其中，使用传送头来将微发光二极管阵列转移到接受衬底上。该专利在此全部引入作为参考。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种用于转移微发光二极管的新技术方案。

根据本发明的一个实施例，提供了一种用于转移微发光二极管的方法，包括：在激光透明的原始衬底的背面形成掩模层，其中微发光二极管位于原始衬底的正面；使原始衬底上的微发光二极管与接收衬底上预先设置的接垫接触；以及从原始衬底侧用激光通过掩模层照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管。

优选地，原始衬底是蓝宝石衬底，以及原始衬底的厚度范围是20-1000μm、或50-500μm、或100-300μm。

优选地，所述掩模层的空间分辨率的范围是1-50μm。

优选地，所述掩模层的材料选自光刻胶、聚合物、金属/金属化合物、金属/金属合金、金属/金属合成物、硅、硅化物。

优选地，所述微发光二极管通过微凸起接合与所述接垫接触。

优选地，在从原始衬底剥离微发光二极管时，对所述微发光二极管施加非接触的作用力。

优选地，所述非接触的作用力是重力、静电力和电磁力中的至少一种。

优选地中，所述激光的激光束尺寸是50-5000μm。

优选地，以冗余方式将所述微发光二极管布置在接收衬底上

根据本发明的另一个实施例，提供了一种用于制造微发光二极管装置的方法，包括使用根据本发明的方法将微发光二极管转移到微发光二极管装置的接收衬底上。

根据本发明的另一个实施例，提供了一种使用根据本发明的方法制造的微发光二极管装置。

根据本发明的另一个实施例，提供了一种电子设备，包含根据本发明的微发光二极管装置。

另外，本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本发明的每个实施例或权利要求的技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者背景技术中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1示出了根据本发明的方法的一个示意性实施例的流程图。

图2A至图2G示出了根据本发明的用于微发光二极管转移的一个例子。

图3示出了根据本发明的方法的另一个示意性实施例的流程图。

图4A至图4L示出了根据本发明的用于微发光二极管转移的另一个例子。

图5示出了根据本发明的方法的又一个示意性实施例的流程图。