[实用新型]阵列基板、显示面板以及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型至少一实施例涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。

背景技术

随着液晶显示技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)广泛地应用在各个领域。TFT-LCD中， 通过控制液晶分子的偏转，从而实现对光线强弱的控制，然后通过彩膜 层的滤光作用，实现彩色图像显示。

通常，TFT-LCD以及其他电子产品具有多层结构。在制造过程中，构成 多层结构的每一层一般采用沉积工艺或溅射工艺形成，然后在其上形成光刻 胶，利用掩模版对光刻胶进行图案化，再以图案化的光刻胶为掩膜进行刻蚀 得到图案化的膜层。在半导体器件中由于衬底基板上的半导体器件的各层的 图案尺寸和图案密度不同而存在着某些工艺偏差。

TFT-LCD包括面内开关(In-PlaneSwitching，IPS)模式和高级超维场 (Advanced-SuperDimensionalSwitching，ADS)模式。在IPS模式和ADS 中，通过像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电 极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极和公共电极之间、 像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换。

实用新型内容

本实用新型至少一实施例提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置。 该阵列基板通过对液晶模式的像素电极和公共电极及其排列进行改善，使得 对关键尺寸偏差(CDbias)和重叠余量(overlaymargin)等工艺偏差的容 忍度提高，从而可实现显示亮度的均一性。

本实用新型至少一实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板和设置在所 述衬底基板上的多条栅线、多条数据线和多个子像素；

所述子像素内设置相互绝缘的第一电极和第二电极，所述第一电极包括 多个第一电极条，所述第二电极包括多个第二电极条，所述多个第一电极条 之间电连接，所述多个第二电极条之间电连接；

所述多个第一电极条和所述多个第二电极条在所述衬底基板上的投影 中，其中一个所述第二电极条的投影和与其在第一方向上相邻的所述第一电 极条的投影在平行于第一方向上的距离为S1；所述第二电极条的投影和与 其在所述第一方向的相反方向上相邻的所述第一电极条的投影在平行于第 一方向上的距离为S2，所述第一方向为沿所述数据线的一个延伸方向，或 者，所述第一方向为沿所述栅线的一个延伸方向；

所述多个子像素包括第一畴和第二畴，所述第一畴和所述第二畴位于同 一子像素中或位于不同的子像素中，所述第一畴包括S1大于S2的部分，所 述第二畴包括S1小于S2的部分。

例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一畴中所述第 一电极条和所述第二电极条的延伸方向相同，所述第二畴中所述第一电极条 和所述第二电极条的延伸方向相同，所述第一畴和所述第二畴中的电极条的 延伸方向相同或不同。

例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一畴的电极条 的延伸方向和所述第二畴的电极条的延伸方向的夹角大于等于零度且小于 90度。

例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一畴还包括 S1小于S2的部分，所述第二畴还包括S1大于S2的部分。

例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一畴和所述第 二畴位于同一子像素中，所述子像素还包括与所述第一畴呈镜像对称的第三 畴以及与所述第二畴呈镜像对称的第四畴。

例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一畴和所述第 二畴位于不同的子像素中，所述第一畴位于第一子像素中，所述第二畴位于 第二子像素中，所述阵列基板还包括与所述第一子像素呈镜像对称的第三子 像素和与所述第二子像素呈镜像对称的第四子像素。

例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，所述第一畴和所述第 二畴中，所述S1大于S2的部分的面积等于所述S1小于S2的部分的面积。

例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中， 0.03≤|S1-S2|/|S1+S2|≤0.3。

例如，在本实用新型一实施例提供的阵列基板中，0.4μm≤|S1-S2|≤0.6μm。