[实用新型]晶圆清洁设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件的处理设备，特别涉及一种晶圆清洁设备。

背景技术

晶圆是制造半导体芯片的重要材料。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之集成电路产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅。晶圆一般需要经过化学、物理处理。因而，中间产物的晶圆上可能残留各种杂质，譬如胶质。杂质的存在，极大影响了晶圆的性能，甚至造成不能正常工作的情况。因而，对于晶圆的纯度的高规格标准是半导体领域的基本要求。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种清洁效率高、清洁程度高的晶圆清洁设备。

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案实现：

本实用新型提供一种晶圆清洁设备。所述晶圆清洁设备包括：

支撑机构；

抽真空装置，所述抽真空装置包括气管；

支撑台，所述支撑台可旋转地设置在所述支撑机构上，所述支撑台上开设有吸附通孔，所述吸附通孔设置为与所述气管连通，所述支撑台用于支撑晶圆。

优选地，所述晶圆清洁设备还包括旋转机构，所述旋转机构设置在所述支撑机构上以驱动所述支撑台旋转。

优选地，所述旋转机构包括电机及转轴，所述电机设置为驱动所述转轴旋转，所述转轴与所述支撑台连接设置。

优选地，所述的晶圆清洁设备还包括气动旋转接头；所述转轴沿轴向开设有通孔；所述气动旋转接头、所述抽真空装置的气管分别设置为与所述转轴的通孔连通。

优选地，所述的晶圆清洁设备还包括清洁组件，所述清洁组件设置在所述支撑机构上，所述清洁组件包括清洁头，所述清洁头与设置在所述支撑台上的晶圆相接触地设置。

优选地，所述清洁头可转动地设置，且所述清洁头的转动方向设置为与所述支撑台的转动方向相反。

优选地，所述清洁头的材质为毛发。

优选地，所述清洁头的直径大于或等于所述支撑台的外接圆的半径。

优选地，所述清洁头相对于所述支撑台可移动地设置。

优选地，所述清洁组件还包括载盘、连接件及驱动装置；所述驱动装置设置在所述支撑机构上，驱动所述连接件移动地设置；所述连接件与所述驱动装置连接且设置为延伸至与所述支撑台相正对；所述载盘设置在所述连接件上；所述清洁头设置在所述载盘上。

优选地：所述驱动装置包括气缸。

优选地：还包括清洗液喷头，所述清洗液喷头对准所述支撑台设置，所述清洗液喷头用于向所述晶圆喷出清洗液；所述清洗液喷头与储液槽连通。

本实用新型提供的晶圆清洁设备通过旋转晶圆，从而提高了对晶圆的清洁效率且清洁程度高。所述抽真空装置能够在不损伤经验的同时又能牢固吸附晶圆，使得晶圆在高速旋转时都不会发生飞离的问题，从而能够实现高速接触以实现清洁。进一步地，通过清洁头的方向旋转，加大了与晶圆接触的相对速度，提升了清洁性能。清洁头的直径大于晶圆直径的一半，使得清洁头仅在一个方向上直线往复移动并配合晶圆转动，即可实现清洁晶圆表面所有位置，因此驱动清洁头移动的驱动机构及传动机构可以设置的较为简单，仅需要驱动清洁头在一个方向上往复移动即可，生产成本低。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种晶圆清洁设备的结构示意图。

图2为图1中的支撑台、电机设置在支撑机构上的结构示意图。

图3为图2的支撑台隐匿上盖板的俯视图。

图4为图3沿A-A线的剖视图。

图5为图1的清洁组件的结构示意图。

图6为图5中的B处的放大示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进行详细的描述：

如图1至图6所示，其为本实用新型提供的一种晶圆清洁设备101。所述晶圆清洁设备101包括支撑机构10、抽真空装置20以及支撑台30。

请继续参阅图1，所述抽真空装置20包括气管。所述抽真空装置20用于抽真空，以产生气体负压而吸附晶圆108。

请继续参阅图1至图4，所述支撑台30可旋转地设置在所述支撑机构10上。所述支撑台30开设有吸附通孔31。所述吸附通孔31设置为与所述气管连通。所述支撑台30用于支撑晶圆108。