[实用新型]一种紫外臭氧处理仪有效
申请号: | 201521140055.9 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN205282455U | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 王文俊;吴广成;崔光磊 | 申请(专利权)人: | 安徽师范大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京元本知识产权代理事务所 11308 | 代理人: | 范奇 |
地址: | 241000*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外 臭氧 处理 | ||
技术领域
本实用新型属于半导体器件制造技术领域,具体得说,是一种用于对ITO 进行处理的紫外臭氧处理仪。
背景技术
有机电致发光器件(OLEDS)是一种以具有光敏性质的有机物作为半导体的材 料,以光伏效应而产生电压形成电流,实现太阳能发电的效果,有机电致发光器 件具有全固态、主动发光、高亮度、高对比度、超薄、低成本、低功耗、视角大、 工作温度范围宽等诸多优点,被认为是目前最有发展前景的平板显示器之一。其 典型结构是在透明阳极和金属阴极间夹有单层或者多层有机薄膜。作为显示应 用,OLED要求至少一面电极为透明电极,以便光能透射出来。因ITO对可见光 的透射比较高、电阻率低且功函数较高而广泛用做OLED的阳极材料,ITO玻璃直 接与有机太阳能薄膜接触,所以ITO玻璃的表面形貌、化学成分是决定器件寿命、 稳定性以及放光效率等特征的一个重要因素,但是采用购买的ITO玻璃而不作任 何表面处理所制备的OLED的性能较差。目前对ITO的处理方法主要分为物理方 法和化学方法两种:其中物理方法主要是等离子处理;化学方法则主要包括酸碱 处理,以及在ITO表面增加其他化合物的方法。
目前实验室普遍使用紫外臭氧清洗仪,通过紫外线照射,使空气中的氧发生 光化学反应,产生臭氧来清洁ITO玻璃表面。这样处理容易给样品带进杂质并且 ITO玻璃的处理不容易控制。在有机太阳能电池的制备中,ITO玻璃的处理有着 关键的作用,不仅要清洗干净而且要改善其功函数,提高亲水性。
发明内容
为了解决上述现有技术的缺陷,本实用新型提供一种功能专一、方便易用, 适用ITO玻璃处理的紫外臭氧处理仪。
本实用新型采用的技术手段为:一种紫外臭氧处理仪,包括底座、固定在底 座上的储物筒以及位于储物筒一侧的进氧装置,所述储物筒前端设有进物口、后 端连接有紫外发生器,所述储物筒内壁上设有紫外灯;所述进氧装置包括进氧管 以及与进氧管相通的分支管,所述进氧管的左右两端头分别设有抽气口和进氧 口。
进一步的,所述分支管上设有气压计,分支管端头设有进物口盖。
进一步的,所述进氧管的左侧设有左旋开关。
进一步的,所述进氧管的右侧设有右旋开关。
进一步的,所述储物筒在底座上水平放置。
进一步的,所述紫外发生器的一端与电源相连。
进一步的,所述储物筒呈圆柱形。
进一步的,所述紫外灯位于储物筒内壁的上方。
本实用新型的积极效果在于:
1、本实用新型的紫外臭氧处理仪组装方便,制造成本低,方便易用,功能专一, 能够很好的适用于有机太阳能电池制备过程中的ITO玻璃的处理;
2、通过多次反复的抽气通氧气使仪器内部保持高度纯氧环境,并通过压力表可 控性的调节仪器内部氧气的量以达到实验的各种变化需要;
3、将ITO玻璃直接置于紫外光下,接受臭氧和紫外光的双重处理,改善ITO玻 璃的表面光滑度、提高ITO表面功函数、增强器件的亮度,提高器件的击穿电压, 同时改善器件的发光均匀性。
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型的结构和工作原理做进一步详细的 阐述,附图是简化的示意图。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图中:1、抽气口;2、进氧口;3、左旋开关;4、右旋开关;5、气压计;6、 进物口盖;7、进物口;8、紫外灯;9、底座;10、紫外发生器;11、储物筒; 12、进氧管。
具体实施方式
如图1所示:一种紫外臭氧处理仪,包括底座9、固定在底座9上的储物筒 11以及位于储物筒11一侧的进氧装置,所述储物筒11的前端设有进物口7、后 端连接有紫外发生器10,紫外发生器10的另一端与交流电源相连,所述储物筒 11的内壁上方设有紫外灯8;所述进氧装置包括进氧管12以及与进氧管12相通 的分支管,所述进氧管的左右两端头分别设有抽气口1和进氧口2,进氧管12 的左侧设有左旋开关3、右侧设有右旋开关4,所述分支管上设有气压计5,分 支管端头设有进物口盖6。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造