[实用新型]一种薄膜封装的OLED屏体有效

专利信息
申请号: 201521135518.2 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN205376530U 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 张国辉;王静;赵杨;陈旭 申请(专利权)人: 固安翌光科技有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 彭秀丽
地址: 065500 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 封装 oled 屏体
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及有机电致发光器件技术领域,具体涉及一种薄膜封装的OLED屏体及其制备方法。

背景技术

经过近三十年的发展,薄膜封装的OLED屏体(英文全称为OrganicLightEmittingDevice,简称为OLED)作为下一代照明和显示技术,具有色域宽、响应快、广视角、无污染、高对比度、平面化等优点,已经在照明和显示上得到一定程度的应用。典型的薄膜封装的OLED屏体一般包括透明基板、透明阳极、反射电极以及设置在两个电极之间的有机功能层。通常底发光OLED的阴极为平面金属,具有良好的反射效果。

薄膜封装的OLED屏体(OLED)包括有源电致发光器件(AMOLED)及无源电致发光器件(PMOLED),其中无源电致发光器件(PMOLED)具有阴极带、有机层功能层以及阳极带。PMOLED用来显示文本和图标时效率最高,适于制作小屏幕(对角线2-3英寸),常应用与移动电话、掌上电脑以及MP3播放器。随着智能穿戴产品的普及,市场对PMOLED显示屏提出了超薄、可弯曲的需求。通常对于弯曲屏体而言,需要采用薄膜封装才能实现其弯曲。

然而由于无源薄膜封装的OLED屏体PMOLED中存在隔离柱(Separatororrib)结构,其上端高低不平,因此采用薄膜封装技术时,薄膜封装层容易出现膜层厚度不连续导致密封效果差的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是现有无源电致发光器件(PMOLED)采用薄膜封装是容易出现破损导致封装不严的问题,从而提供一种薄膜封装的OLED屏体,该薄膜封装的OLED屏体通过设置具有连续平面结构的平坦化层能够使薄膜封装层与其紧密贴合,从而能够防止薄膜封装层的破损问题。

为解决上述技术问题,本实用新型是通过以下技术方案实现的:

一种薄膜封装的OLED屏体,包括导电基板和薄膜封装层,所述的导电基板和所述薄膜封装层形成的密闭空间内设置有机功能层,所述的有机功能层的上方设置有第二电极层,相邻的第二电极层彼此绝缘,所述薄膜封装层和所述第二电极层之间设置有平坦化层,所述平坦化层远离所述第二电极层的一侧形成连续平面结构,所述薄膜封装层贴合设置在所述连续平面结构上。

相邻的所述第二电极层之间通过隔离柱实现彼此绝缘,所述平坦化层的上端与所述隔离柱的顶端共同形成连续平面结构,所述薄膜封装层贴合设置在所述连续平面结构上。

相邻的所述第二电极层之间通过隔离柱实现彼此绝缘,所述平坦化层填充在隔离柱之间并覆盖所述隔离柱后,其上端形成连续平面结构,所述薄膜封装层贴合设置在所述连续平面结构上。

所述导电基板包括基板和设置在所述基板上的第一电极层,所述第一电极层上设置有若干形成连续网格结构的像素限定层,所述的网格结构中填充有机功能层,所述像素限定层上方设置有隔离柱,所述隔离柱将相邻有机功能层上的第二电极层彼此隔离绝缘。

所述平坦化层的透光率>70%,折射率为1.4-2.3,所述的平坦化层为有机材料层或无机材料层。

所述的平坦化层为NPB、ALq3、TBD、PBD、CBP中的一种;或者为例如亚克力、泰富龙、聚酰亚胺中的一种。

所述的平坦化层和封装层是由聚氢硅氮烷类材料、其衍生物或聚氢硅氮烷类材料组合物制备而成的一体结构。

聚氢硅氮烷类材料组合物包括聚氢硅氮烷类材料、光固化剂和光引发剂。

一种薄膜封装的OLED屏体的制备方法,包括下述步骤:

S1、在导电基板上制作涂覆有机光刻胶层,曝光显影使其形成具有开口结构的像素限定层;

S2、在像素限定层的上方通过涂胶、曝光、显影、刻蚀的工艺制备隔离柱,采用蒸镀掩膜板在具有开口结构的像素限定层中沉积有机功能层,在有机功能层的上方沉积第二电极层,所述的隔离柱使相邻的所述第二电极层彼此绝缘;

S3、在所述第二电极层上方制作有机材料或无机材料的平坦化层,所述平坦化层填充在所述隔离柱之间,其上端与隔离柱上端形成连续平面结构,或,

所述平坦化层填充在隔离柱之间并覆盖所述隔离柱后,其上端形成连续平面结构;

S4、在所述连续平面结构上方蒸镀形成薄膜封装层。

另一种薄膜封装的OLED屏体的制备方法,包括下述步骤:

S1、在导电基板上制作涂覆有机光刻胶层,曝光显影使其形成具有开口结构的像素限定层;

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