[实用新型]双芯片并联联接封装结构有效

专利信息
申请号: 201521134666.2 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN205376519U 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 黄昌民 申请(专利权)人: 无锡昌德微电子股份有限公司
主分类号: H01L25/04 分类号: H01L25/04;H01L23/49
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;韩凤
地址: 214135 江苏省无锡市新*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 芯片 并联 联接 封装 结构
【权利要求书】:

1.双芯片并联联接封装结构,包括装片底板(1)、E极引脚(6)和B极引脚(9),其特征是:所述装片底板(1)上安装第一芯片(2)和第二芯片(3),第一芯片(2)的E极通过第一芯片E极导电引线(4)连接E极引脚(6),第二芯片(3)的E极通过第二芯片E极导电引线(5)连接E极引脚(6),使第一芯片(2)E极与第二芯片(3)E极形成等电位;第一芯片(2)的B极通过第一芯片B极导电引线(7)连接B极引脚(9),第二芯片(3)的B极通过第二芯片B极导电引线(8)连接B极引脚(9),使第一芯片(2)B极与第二芯片(3)B极形成等电位。

2.如权利要求1所述的双芯片并联联接封装结构,其特征是,所述第一芯片(2)和第二芯片(3)上下排列,E极均位于右侧,B极均位于左侧。

3.如权利要求1所述的双芯片并联联接封装结构,其特征是,所述装片底板(1)为一块铜金属平板,E极引脚(6)和B极引脚(9)是铜材质导电引脚。

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