[实用新型]一种石墨框承载装置有效
申请号: | 201521134384.2 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN205275698U | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 张春华;陈佳男;衡阳;郑旭然;李栋;孟祥熙 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/458;H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 承载 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种石墨框承载装置,具体是指应用于太阳能电池生产过程中 PECVD设备上的石墨框。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽,在现有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清 洁、最普遍和最有潜力的替代能源。因此,太阳能电池得到了世界各国的重视,目前也已经 取得了极大的发展。
现有技术中,在太阳能电池的制备过程中,一般需要对硅片进行镀减反射膜的步 骤。目前,氮化硅薄膜作为晶体硅太阳能电池的光学减反射膜,同时它也起到表面钝化和体 内钝化的作用,以提高太阳能电池的转换效率。现有技术中,制备氮化硅薄膜一般采用的是 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,如可以采用德国ROTH&RAU公司的PECVD设备。在 采用PECVD设备制备氮化硅薄膜的过程中,需要使用一种承载硅片的石墨框。现有的石墨框 呈网状结构,石墨框本体内设有复数条横竖交错的承载条,构成复数个石墨框网格,所述承 载条的宽度一般为6~8mm,并在承载条上安装挂钩,需要镀膜的硅片放在石墨框的网格里, 通过挂钩即可托住硅片。
然而,实际应用发现:在使用过程中,由于没有支撑,石墨框中心的承载条在高温 下容易下沉,使得石墨框中心与边缘形成凹陷,这样边缘的电池片比中心高,特别是离导轨 条侧的边缘在镀膜时容易发红,产生镀膜色差。
发明内容
本实用新型的发明目的是提供一种石墨框承载装置,其具有结构稳固、不易变形 的特点,且在PECVD镀膜中不易产生色差。
为达到上述发明目的,本实用新型采用的技术方案是:一种石墨框承载装置,包括 石墨框本体,石墨框本体内设有复数条横竖交错的承载条,构成复数个石墨框网格,在位于 石墨框本体中央的横竖交错的承载条中,至少有3条相互垂直的承载条的宽度为12~16mm, 其余承载条的宽度为6~8mm。
上述技术方案中,所述石墨框本体的长度为1691~1760mm;
进一步地,所述石墨框本体的左右两侧各设置有两个对称分布的U型定位孔。
上述技术方案中,所述U型定位孔由长方形和半圆形通孔组成,长方形通孔的长度 为1~70mm,宽度为5~8mm;半圆形通孔的直径为5~8mm,且半圆形通孔的直径与长方形通 孔的宽度相等。
优选地,所述长方形通孔的长度为60mm,宽度为7mm;半圆形通孔的直径为7mm。
优选地,所述石墨框网格为具有倒角的正方形孔。
进一步地,所述正方形孔的宽度为126~126.9mm。
优选地,所述正方形孔的宽度为126.7mm。
优选地,所述石墨框本体的长度为1750mm。
进一步地,所述承载条上设有用于支撑硅片的挂钩。
优选地,所述石墨框本体上分布有6×12个石墨网格。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
1.本实用新型对位于石墨框本体中央的横竖交错的承载条进行加宽,所构成的石 墨框网格的桥梁更加稳固,不易变形,使承载条都在同一片面上,在镀膜时不容易产生色 差;
2.本实用新型结构简单,便于制备,适用性强。
附图说明
图1是实施例一中本实用新型的结构示意图。
图2是实施例二中本实用新型的结构示意图。
其中:1、石墨框本体;2、承载条;3、石墨框网格;4、U型定位孔。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例一:
参见图1所示,一种石墨框承载装置,包括石墨框本体1,石墨框本体内设有复数条 横竖交错的承载条2,构成复数个石墨框网格3,在位于石墨框本体中央的横竖交错的承载 条中,至少有3条相互垂直的承载条的宽度为15mm,其余承载条的宽度为6mm。
本实施例中,作为优选的,所述石墨框本体的长度为1750mm;
所述石墨框本体的左右两侧各设置有两个对称分布的U型定位孔4。
所述U型定位孔由长方形和半圆形通孔组成,长方形通孔的长度为60mm,宽度为 7mm;半圆形通孔的直径为7mm,且半圆形通孔的直径与长方形通孔的宽度相等。
所述石墨框网格为具有倒角的正方形孔,所述正方形孔的宽度为126.7mm。
所述承载条上还设有用于支撑硅片的挂钩。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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