[实用新型]微波输出功率控制装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及微波控制技术领域，特别是涉及一种微波输出功率控制装 置。

背景技术

利用微波进行加热的装置，比如微波炉等，是利用微波使食物中的水分子 产生高频次移动，分子之间发生剧烈摩擦发热，从而达到加热(或烹饪)食物 的目的。目前市面上的微波加热装置均是使用磁控管产生2450MHz或915MHz 频率微波信号。

移动通信中使用的大功率LDMOS(LaterallyDiffusedMetalOxide Semiconductor横向扩散金属氧化物半导体)和GaN(GalliumNitride氮化镓) 进行微波输出功率的调节，即使在极限工作情况下，寿命仍可以长达数百万小 时。随着工艺的发展和技术的进步，大功率LDMOS和GaN的饱和功率越来越 大、饱和效率越来越高，同时随着半导体制造水平的提高及移动通信市场的规 模的迅猛扩大，大功率LDMOS、GaN、VCO的价格也呈现急剧下降，基本可 以为消费类产品接收。然而，传统微波输出功率的控制需要依赖在高压环境下 工作的磁控管，使微波输出功率的控制过程中安全性低。

实用新型内容

基于此，有必要针对传统技术微波输出功率的控制过程中安全性低的技术 问题，提供一种微波输出功率控制装置。

一种微波输出功率控制装置，其特征在于，包括：微波发生器、衰减电路、 放大电路、控制器；所述微波发生器、衰减电路和放大电路的输入端依次连接， 所述控制器分别连接所述微波发生器、衰减电路和放大电路；

所述微波发生器发生微波，通过所述衰减电路进行衰减处理，再通过放大 电路进行放大后输出微波。

上述微波输出功率控制装置，通过将微波发生器、衰减电路、放大电路依 次连接，并使上述控制器分别连接所述微波发生器、衰减电路和放大电路，使 微波输出功率可以依据衰减网络进行控制，无需依赖高压环境下工作的磁控管， 可以提高控制微波输出功率的安全性；且利用衰减电路衰减值对上述微波输出 功率进行调节，使上述微波输出功率不会随着上述微波发生功率的变化而变化， 可以长时间提高微波输出功率的稳定性，进而可以提高相应微波加热装置进行 加热的效果。

附图说明

图1为一个实施例的微波输出功率控制装置结构示意图；

图2为一个实施例的微波输出功率控制装置结构示意图；

图3为一个实施例的微波输出功率控制方法流程示意图；

图4为一个实施例的过温保护流程图；

图5为一个实施例的过流保护流程图；

图6为一个实施例的反射功率检测流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的微波输出功率控制装置的具体实施方式 进行阐述。

参考图1，图1所示为一个实施例的微波输出功率控制装置结构示意图，包 括：微波发生器11、衰减电路13、放大电路15、控制器17；所述微波发生器 11、衰减电路13和、放大电路15的输入端依次连接，所述控制器17分别连接 所述微波发生器11、衰减电路13和放大电路15的控制端；

所述微波发生器11发生微波，通过所述衰减电路13进行衰减处理，再通 过放大电路15进行放大后输出微波，所述控制器17分别控制微波发生器11、 衰减电路13和放大电路15工作。

上述微波加热功率可以为用户根据其加热需求通过微波加热装置输入的加 热功率。

上述放大电路可以包括n个放大器，第一放大器至第n放大器依次连接； 其中，n为正整数，第n-1、n级放大器既可是单个功率器件构成，也可由多个 功率器件构成，当第n-1、n级由多个功率器件构成时，Vgs(n-1)、Vgs(n)可为一 组电压数据；第n-1级、n级功率器件可选取LDMOS(LaterallyDiffusedMetal OxideSemiconductor横向扩散金属氧化物半导体)，或GaN(GalliumNitride氮 化镓)功率器件。上述微波发生器可由PLL(PhaseLockedLoop锁相环)或 VCO(VoltageControlledOscillator压控振荡器)或功率器件自激振荡实现，一 般情况下，微波发生器发生微波为915±25MHz(兆赫兹)或2450±50MHz。