[实用新型]钙钛矿太阳电池透明导电衬底及其钙钛矿太阳电池有效
| 申请号: | 201521116034.3 | 申请日: | 2015-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN205231119U | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
| 发明(设计)人: | 盛赟;王磊;陈奕峰 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/42 |
| 代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 |
| 地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钙钛矿 太阳电池 透明 导电 衬底 及其 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种钙钛矿太阳电池,尤其涉及一种钙钛矿太阳电池透明导电衬底,同时,本实用新型还涉及一种包含上述透明导电衬底的钙钛矿太阳电池,属于太阳电池技术领域。
背景技术
随着全球生态环境和能源短缺问题的日益严峻,太阳能光伏发电受到各国普遍关注。目前,产业化晶体硅的电池转换效率稳定约19%(单晶)和17~18%(多晶),进一步提升效率存在技术和成本的制约瓶颈。尽管一些高效硅电池技术不断得以提出,但是这些高效太阳电池制备工艺复杂、量产中品质不易控制、对设备要求高,因此,难以实现量产。除了硅太阳电池以外,其它类型的化合物薄膜电池、有机太阳电池、染料敏化太阳电池等,其电池转换效率多年来未有显著突破。近年来,一种称之为“钙钛矿太阳电池”的新型电池技术引起了科研人员的广泛关注,其电池转换效率在短短的数年时间内从3.8%提升至目前的20.1%,并以月为单位不断刷新。钙钛矿体系是指一类与钙钛矿CaTiO3具有相似晶体结构的有机-无机杂化物体系的总称。钙钛矿具有复杂的电学和光学特性,其核心光电转换材料具有廉价、容易制备的特点,这为其大规模、低成本制造提供了可能。
钙钛矿太阳电池一般地基于ITO或FTO导电玻璃衬底。在含介孔层的器件结构中,由衬底向上依次形成衬底、TiO致密层、介孔层、钙钛矿层、空穴传输层、上电极;在平面的器件结构中,由衬底向上依次形成衬底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、上电极。在这两种常见结构钙钛矿太阳电池中,太阳光从衬底一面入射,被钙钛矿层吸收,激发形成电子和空穴,被导电衬底和上电极收集,实现光电流输出。衬底作为入射光的窗口,需要由良好的光学透射率(300至800nm光谱段);而作为收集电子的电极,需要由良好的电导性。实验室制备的钙钛矿太阳电池已经获得20%以上的转换效率,但有效器件面积较小,往往只有1cm2以下,无法实际应用。产业化钙钛矿太阳电池的应用要求实现大面积。然而,随着器件面积增加,钙钛矿太阳电池的转换效率明显下降,特别是填充因子。主要的原因是随着器件面积增加,衬底ITO或FTO层横向输运电阻增加,导致串联电阻增加。
透明导电氧化物(transparentconductiveoxide,TCO)是常用的透明导电材料,用于太阳电池、平板显示、触控显示等领域。使用的材料有:氧化铟锡(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝氧化锌(AZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)等。TCO的电导性和透光性是相互制约的:增加TCO的掺杂浓度会提高薄膜的电导性,但会降低薄膜的透光性;增加TCO的厚度会提高薄膜的横向电导,但同样会降低薄膜的透光性。
对于钙钛矿太阳电池,无论通过掺杂或增加薄膜厚度来提高TCO衬底的电导性,改善填充因子,都会增加入射光在TCO层的吸收,降低光电流,限制装换效率的提升。因此,需要设计一种兼顾电导性和透光性的TCO层,用于大面积钙钛矿太阳电池的衬底,从而促进钙钛矿太阳电池的产业化。
发明内容
本实用新型针对现有技术中,钙钛矿太阳电池的透明导电层电导性和透光性无法兼顾的技术问题,提供一种钙钛矿太阳电池透明导电衬底及其制备方法,使钙钛矿太阳电池的透明导电衬底兼顾电导性和透光性,促进钙钛矿太阳电池的发展和产业化应用。
为此,本实用新型采用如下技术方案:
钙钛矿太阳电池透明导电衬底,其特征在于:由上至下依次包括玻璃层(1-1)、高透光TCO层(1-3)、高电导TCO层(1-4),所述高透光TCO层(1-3)是一层厚度均匀的薄膜,透光率≥85%,所述高电导TCO层(1-4)是一层由交错的互联线(1-4a)构成的网状结构,电阻率≤6e-4??cm。
进一步地,所述TCO选自氧化铟锡(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝氧化锌(AZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)中的一种或多种。
进一步地,所述高透光TCO层(1-3)的厚度是20至300nm。
进一步地,所述每条互联线(1-4a)的厚度是100至500nm,宽度是10至200μm。
进一步地,在所述玻璃层(1-1)与高透光TCO层(1-3)之间还具有SiO2层(1-2),SiO2层的厚度为100-300nm。
本实用新型的另一方面,还提供一种钙钛矿太阳电池,在上述透明导电衬底(2-1)上依次设置有电子传输层(2-2)、钙钛矿光吸收层(2-3)、空穴传输层(2-4)和金属上电极(2-5)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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