[实用新型]一种适用于晶体硅组件的新型边框

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能组件装置改进技术领域，具体涉及一种用 于晶体硅组件的新型边框。

背景技术

晶体硅组件的边框不仅能够保护、支撑电池片封装件，也是太 阳能组件系统安装的必要配件。目前，市场上的晶体硅组件边框四周 为光面，边框角槽为5.2mm，不利于补胶。边框角槽底部为5.2mm, 为直筒型的角槽，需要补胶。光电建筑一体化中的组件边框为四面未 向外延伸，达不到组件与组件相扣，容易出现硅胶裂口，从而导致漏 水现象。

实用新型内容

为解决上述现有技术缺陷，本实用新型的目的在于提供一种适用 于晶体硅组件的新型边框，使其通过结构上的改进，不仅能够在装配 过程中减少二次补胶，而且能够克服在使用过程中遇到闪电时因组件 绝缘程度不够而出现闪电纹的现象。

为实现上述技术目的，本实用新型所采取的技术方案如下：

一种适用于晶体硅组件的新型边框，包括主体框架，所述主体框 架上端设有插接口，下端设有下边板，所述插接口包括上边框和下边 框，其特征在于：所述上边框的长度大于下边框的长度，且所述上边 框外端内侧与所述下边框外端内侧相互之间的水平间距为4.4-4.6mm, 所述下边框内侧配置有向下开设的凹槽，由上边框与主体框架连接处 到上边框端部为一段向下的弧线，弧线末端设置有下凸头，下边框的 末端与下边框的下表面连接处为一弧形连接，所述凹槽的上表面与下 边框的的下表面处于同一水平面，所述下边框的型材厚度为0.7mm， 主框架外表面设置有主体框架凹槽，下边板设置有下边板凹槽。

进一步地，优选的是，所述凹槽深度为0.6-0.8mm。

进一步地，优选的是，所述主体框架凹槽的形状为三角形，主体 框架凹槽宽度为0.4mm，深度为0.2mm。

进一步地，优选的是，所述下边板凹槽的形状为三角形,下边板 凹槽宽度为0.4mm，深度为0.2mm。

通过以上技术方案，本实用新型的有益效果如下：

1、上边框端部及下边板端部凸点的设计，使边框装配时同晶体 硅组件接触的四边可以作为摩擦线，如果需要打胶可以作为存胶槽， 有利于组件与组件之间的结合；

2、通过将上、下边框之间的水平间距由正常的5.2mm减少至 4.5mm，实现里大外小，能够有效地减少二次补胶；

3、在下边框的内侧配置处向里伸进去0.7mm，有助于EVA胶与 边框的结合，同时减少二次补胶对组件的转化效率等各方面的影响， 并增加组件绝缘程度，防止光伏电站并网发电后遇到闪电出现闪电 纹。

4、通过将边框中的一条边加宽，在光电建筑一体化应用上可以 减少组件与组件之间的打胶，并形成内扣，避免出现漏水现象。

附图说明

图1是本实用新型结构示意图；

具体附图标记如下：

1-主体框架；101-空腔；2-插接口；201-上边框；202-下边框； 203-下凸头；204-凹槽；3-下边板；301-上凸头，102-主体框架凹槽， 303-下边板凹槽。

具体实施方式

本实用新型的具体实施方式：

一种适用于晶体硅组件的新型边框，包括主体框架1，主体框架 1上端设有插接口2，下端设有下边板3，其中，插接口2包括上边 框201和下边框202，其中，上边框201的长度大于下边框202的长 度，且上边框201外端内侧与下边框202外端内侧相互之间的水平间 距为4.4-4.6mm,下边框202内侧配置有向下开设的凹槽204，由上边 框201与主体框架1连接处到上边框端部为一段向下的弧线，弧线末 端设置有下凸头203，下边框202的末端与下边框201的下表面连接 处为一弧形连接，凹槽204的上表面与下边框的的下表面处于同一水 平面，下边框202的型材厚度为0.7mm，主体框架1外表面设置有主 体框架凹槽102，下边板3设置有下边板凹槽303。凹槽204深度为 0.6-0.8mm；主体框架凹槽102的形状为三角形，主体框架凹槽102 宽度为0.4mm，深度为0.2mm；下边板凹槽303的形状为三角形,下 边板凹槽303宽度为0.4mm，深度为0.2mm。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新 型的优点。本领域的技术人员应该了解本实用新型不受上述实施例的 限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在 不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化 和改进，这些变化和改进都落入要求保护的范围内。