[实用新型]CMOS晶体振荡器

权利要求书

1.一种CMOS晶体振荡器，其特征在于，包括晶体振荡等效电路、反馈电 阻、输出反相器、第一限流器、第二限流器、第一开关管、第二开关管和输出 端口，

所述晶体振荡等效电路与所述反馈电阻并联后一端连接所述输出反相器的 输入端，另一端连接所述输出端口；所述第一开关管和所述第一限流器并联后 一端连接电源接入端，另一端连接所述输出反相器的电源端，所述第二开关管 和所述第二限流器并联后一端连接所述输出反相器的接地端，另一端接地；所 述输出反相器的输出端连接所述输出端口；

所述第一开关管和所述第二开关管在所述晶体振荡等效电路起振前导通， 在所述晶体振荡等效电路稳定振荡后断开。

2.根据权利要求1所述的CMOS晶体振荡器，其特征在于，所述晶体振荡 等效电路包括电阻、电感、第一电容和第二电容，所述电阻、所述电感和所述 第一电容串联，并与所述第二电容并联后一端连接所述输出反相器的输入端， 另一端连接所述输出端口。

3.根据权利要求1所述的CMOS晶体振荡器，其特征在于，所述输出反相 器包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的输入端作为所述输出 反相器的电源端，所述第一MOS管的控制端连接所述第二MOS管的控制端作 为所述输出反相器的输入端；所述第一MOS管的输出端连接所述第二MOS管 的输入端作为所述输出反相器的输出端，所述第二MOS管的输出端作为所述输 出反相器的接地端。

4.根据权利要求1所述的CMOS晶体振荡器，其特征在于，所述第一限流 器和所述第二限流器均为MOS管。

5.根据权利要求1所述的CMOS晶体振荡器，其特征在于，所述第一开关 管和所述第二开关管均为MOS管。

6.根据权利要求1所述的CMOS晶体振荡器，其特征在于，还包括峰值检 测电路和反相控制电路，所述峰值检测电路连接所述输出端口和所述反相控制 电路，所述反相控制电路连接所述第一开关管和所述第二开关管，

所述峰值检测电路对所述输出端口的电压进行检测，所述反相控制电路在 所述输出端口的电压小于预设阈值时控制所述第一开关管和所述第二开关管导 通，在所述输出端口的电压大于或等于预设阈值时控制所述第一开关管和所述 第二开关管断开。

7.根据权利要求6所述的CMOS晶体振荡器，其特征在于，所述峰值检测 电路包括第三开关管和第三电容，所述第三开关管的输入端和控制端连接所述 输出端口，所述第三开关管的输出端连接所述第三电容的一端和所述反相控制 电路，所述第三电容另一端接地。

8.根据权利要求7所述的CMOS晶体振荡器，其特征在于，所述第三开关 管为MOS管。

9.根据权利要求6所述的CMOS晶体振荡器，其特征在于，所述反相控制 电路包括第一反相器、第二反相器和第三反相器，

所述第一反相器的输入端连接所述峰值检测电路，所述第一反相器的输出 端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述第三反相 器的输入端和所述第一开关管，所述第三反相器的输出端连接所述第二开关管。

10.根据权利要求1-9任意一项所述的CMOS晶体振荡器，其特征在于， 还包括第一负载电容和第二负载电容，所述第一负载电容和所述第二负载电容 的一端分别连接所述晶体振荡等效电路两端，所述第一负载电容和所述第二负 载电容的另一端接地。