[实用新型]一种晶体生长用坩埚有效
| 申请号： | 201521097632.0 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN205241850U | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李涛;柳井忠;黄小卫;柳祝平 | 申请（专利权）人： | 石河子市鑫磊光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/20 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 刘洪京 |
| 地址： | 832000 新疆维吾尔自*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 坩埚 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体生长用坩埚，包括埚体，其特征在于：在埚口外侧，设置有埚口环套，所述埚口环套对所述埚口进行约束。
2.根据权利要求1所述的一种晶体生长用坩埚，其特征在于：在所述埚口外侧，设置有台阶，所述埚口环套设置在所述台阶上。
3.根据权利要求2所述的一种晶体生长用坩埚，其特征在于：所述台阶高3-5mm，宽1.5-2mm。
4.根据权利要求1所述的一种晶体生长用坩埚，其特征在于：所述环套截面直径为5-8mm。
5.根据权利要求1所述的一种晶体生长用坩埚，其特征在于：所述埚体内壁具有斜度，斜度范围为1°-2°。
6.根据权利要求1所述的一种晶体生长用坩埚，其特征在于：所述埚体外径为300-500mm，内径为280-470mm，坩埚底厚度为25-50mm。
7.根据权利要求6所述的一种晶体生长用坩埚，其特征在于：所述埚体的埚底与埚壁之间设置有圆角，内圆角半径为80-110mm，外圆角半径为100-150mm。
8.根据权利要求1所述的一种晶体生长用坩埚，其特征在于：所述埚体内壁光洁度为0.8-3.2，所述埚体外壁光洁度为6.2，内底光洁度为1.3-1.6。
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