[实用新型]一种硅棒研磨装置有效
| 申请号: | 201521090273.6 | 申请日: | 2015-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN205254763U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
| 发明(设计)人: | 马明涛;张猛猛;裴保齐;张志林;李萍 | 申请(专利权)人: | 洛阳鸿泰半导体有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/27 | 分类号: | B24B37/27 |
| 代理公司: | 洛阳明律专利代理事务所 41118 | 代理人: | 杨淑敏 |
| 地址: | 471023 河南省洛阳市高*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 研磨 装置 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及半导体硅片生产技术领域,尤其是涉及一种硅棒研磨装置。
【背景技术】
公知的,目前大直径半导体硅片加工成小直径硅片的现有技术有以下三种:第一种,是通过倒角机进行倒角,倒角一圈最多去除0.5mm,如果去除量大于2mm倒角时就很难保证硅片的圆度,而且一次一片比较费时,磨轮消耗成本高,效率比较低下;第二种,是专用工装安装上金刚石刀片,并借助碳化硅砂浆,在台钻上进行切削,切削前必须用石蜡将硅片粘在平板玻璃上,根据片厚不同,薄片一次最多可粘5片,切割一次需要5-8分钟,如果粘片时片和片之间有气泡,切割时就会造成大崩边或裂片成品率低下,另外,此种方法加工的目标直径不能随意切换,必须按照目标直径加工专用工装,一个工装只能针对一个目标直径,且切割过程使用Sic砂浆,对环境有很大的污染,不利于环保;第三种,是激光割圆,它的工作原理就是通过激光的高温将硅片熔断以实现切割,此种方法实现了任意目标直径硅片的加工,而且效率也比较高,但是厚度大于1mm的硅片加工的效率就大大降低,而且割厚片时,激光发光源氙灯的寿命会急速下降,另外,切割时的高温会造成硅片表面有深度约20μm的烧结坑;切割完后,硅片一圈有大量的烧结残留物(毛刺);切割时的高温会造成硅片边缘的杂质扩散;但是现在的研磨设备都不无法根据要求对硅棒进行研磨。
【实用新型内容】
为了克服背景技术中的不足,本实用新型公开了一种硅棒研磨装置,本实用新型通过在基座上设置盛放槽,基座的两端分别设置固定板和固定圈,以此来达到快速研磨硅片的目的。
为了实现所述实用新型目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种硅棒研磨装置,包括基座、固定板、连接块、固定圈和连接杆,在基座上设有盛放槽,基座的两端分别设有固定板和固定圈,固定板和固定圈分别通过连接块和连接杆与基座进行连接,连接块与基座之间设有导流槽。
所述基座为长方型结构。
所述盛放槽底部为圆弧型结构,盛放槽设置在基座的顶部面上。
所述固定圈为圆环状结构,固定圈的轴向与盛放槽的轴向相互平行。
所述连接杆为伸缩结构,连接杆上设有紧固螺栓。
一种硅棒研磨装置减小硅片直径的方法,减小半导体硅片直径的方法如下:
第一步,先将硅片叠起来,然后通过纸卷将硅片卷成棒状结构,卷成棒状结构之后在硅棒两端的硅片上进行标记,标记完成之后将硅棒放在滚磨机上,并通过硅棒研磨装置进行固定,然后对硅棒进行滚磨,滚磨的时候通过冷却液进行清理。
所述卷曲硅棒的纸为半透明的硫酸纸。
所述硅棒两端的标记为圆圈标记,圆圈的中心与硅片的圆心相对应。
所述冷却液为水左冷却液。
由于采用了上述技术方案,本实用新型具有如下有益效果:
本实用新型所述的一种硅棒研磨装置,包括基座、固定板、连接块、固定圈和连接杆,通过在基座上设置盛放槽,基座的两端分别设置固定板和固定圈,以此来达到快速研磨硅片的目的;本实用新型实用性强,能够高效、低成本且不影响硅片品质的的实现硅片直径的缩小。
【附图说明】
图1为本实用新型的立体结构示意图。
图中:1、固定板;2、盛放槽;3、导流槽;4、连接块;5、基座;6、固定圈;7、连接杆。
【具体实施方式】
通过下面的实施例可以详细的解释本实用新型,公开本实用新型的目的旨在保护本实用新型范围内的一切技术改进。
结合附图1所述的一种硅棒研磨装置,包括基座5、固定板1、连接块4、固定圈6和连接杆7,在基座5上设有盛放槽2,基座5的两端分别设有固定板1和固定圈6,固定板1和固定圈6分别通过连接块4和连接杆7与基座5进行连接,连接块4与基座5之间设有导流槽3;所述基座5为长方型结构;所述盛放槽2底部为圆弧型结构,盛放槽2设置在基座5的顶部面上;所述固定圈6为圆环状结构,固定圈6的轴向与盛放槽2的轴向相互平行;所述连接杆7为伸缩结构,连接杆7上设有紧固螺栓。
一种硅棒研磨装置减小硅片直径的方法,减小半导体硅片直径的方法如下:
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