[实用新型]一种GaN集成器件

权利要求书

1.一种GaN集成器件，其特征在于，包括由下至上依次形成的GaN衬底、AlN成核层、GaN过渡层、N-GaN集电区层；还包括第一隔离区和第二隔离区，所述第一隔离区和所述第二隔离区从所述N-GaN集电区层的上表面嵌入并延伸至所述N-GaN集电区层内部，将所述N-GaN集电区层分隔为第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域位于所述第一隔离区和所述第二隔离区之间；

其中，在所述第一区域的N-GaN集电区层上由下至上依次形成有第一P-GaN基区层、第一N型发射区层、第一N⁺-GaN帽层、器件隔离层、晶体过渡层、N-InP层、i-光吸收层和P-InP层，所述P-InP层上形成有第一P型电极，所述N-InP层上形成有第一N型电极；在所述第二区域的N-GaN集电区层上由下至上依次形成有第二P-GaN基区层、第二N型发射区层和第二N⁺-GaN帽层，所述第二N⁺-GaN帽层上以及所述第二P-GaN基区层一侧的N-GaN集电区层上形成有第二N型电极，所述第二P-GaN基区层上形成有第二P型电极；在所述第三区域的N-GaN集电区层上形成有第三P-GaN基区层和第三N型电极，所述第三P-GaN基区层上形成有第三P型电极。

2.根据权利要求1所述的GaN集成器件，其特征在于，所述第一N型电极与所述N-InP层之间、所述第一P型电极与所述P-InP层之间、所述第二N型电极与第二N⁺-GaN帽层和N-GaN集电区层之间、所述第二P型电极与所述第二P-GaN基区层之间、所述第三N型电极与所述N-GaN集电区层之间以及所述第三P型电极与所述第三P-GaN基区层之间均形成欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的GaN集成器件，其特征在于，所述AlN成核层的厚度为10～500纳米，所述GaN过渡层的厚度为500～3000纳米。

4.根据权利要求1所述的GaN集成器件，其特征在于，所述N-GaN集电区层的厚度为0.5～3微米。

5.根据权利要求1所述的GaN集成器件，其特征在于，所述第一P-GaN基区层、所述第二P-GaN基区层和所述第三P-GaN基区层的厚度为20～500纳米。

6.根据权利要求1所述的GaN集成器件，其特征在于，所述第一N型发射区层和所述第二N型发射区层的厚度为10～500纳米，且所述第一N型发射区层和所述第二N型发射区层中的化学式为N-Al_yGa_1-yN，其中，y为0～0.3。

7.根据权利要求1所述的GaN集成器件，其特征在于，所述第一N⁺-GaN帽层和所述第二N⁺-GaN帽层的厚度为10～500纳米。

8.根据权利要求1所述的GaN集成器件，其特征在于，所述器件隔离层的厚度10～200纳米，所述晶体过渡层的厚度为0～100纳米。

9.根据权利要求1所述的GaN集成器件，其特征在于，所述N-InP层的厚度为50～500纳米；所述P-InP层的厚度为20～500纳米。

10.根据权利要求1所述的GaN集成器件，其特征在于，所述i-光吸收层的厚度为50～500纳米。