[实用新型]大面积发光二极管照明装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种照明装置，特别是涉及一种大面积发光二极 管照明装置。

背景技术

近年来，基于节能照明的需求与日俱增，开发大面积照明装置的 需求也应运而生，特别是结合发光二极管(LED)的大面积照明装置。 参阅图1及图2，如经中国台湾核准公告的第I224873证书号发明专 利案(以下称前案1)所公开的一种发光二极管发光模块1，主要包含一 散热基板11、多个发光晶粒(chip)12、多个彼此电性串连且设置于该 散热基板11上的n型电极13，及多个彼此电性串连且设置于该散热 基板11上的p型电极14。各发光晶粒12上设置有一n型金属凸块 121及一p型金属凸块122。

所述发光晶粒12是一表面磊制有一发光膜层结构的磊晶基板(图 未示)经由多道的晶粒切割程序(dicing)所形成。在该前案1的详细制 作流程中，所述发光晶粒12是采用覆晶(flipchip)的做法，在一第一 晶粒切割程序尚未切断该磊晶基板前，直接令设置于各发光晶粒12 上的n型金属凸块121及p型金属凸块122，分别对位设置于该散热 基板11上的各n型电极13及各p型电极14；再通过电焊或熔接等表 面黏着技术(SMT)设置于该散热基板11上，以使各发光晶粒12的n 型金属凸块121与p型金属凸块122对应结合至各n型电极13与各p 型电极14；最后，再通过一第二晶粒切割程序以断开该磊晶基板并使 所述发光晶粒12彼此间隔设置于该散热基板11之上。在经由电流导 通后，该散热基板11上的彼此电性串连的所述n型电极13及所述彼 此电性串连的p型电极14则得以点亮所述发光晶粒12并产生大面积 的发光区域。然而，为产生大面积的发光区域，所述发光晶粒12须 通过上述第一晶粒切割程序、表面黏着技术与第二晶粒切割程序等三 道程序才可产生大面积的发光区域，其步骤较为繁琐，且制造成本较 高。

经上述说明可知，改良大面积发光二极管照明装置的结构以简化 制造程序，是此技术领域的相关技术人员所待突破的难题。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种大面积发光二极管照明装置。

本实用新型的大面积发光二极管照明装置，包含一磊晶基板、一 发光膜层结构，及至少一电极单元。该磊晶基板的尺寸大于或等于1 英寸。该发光膜层结构包括一设置于该磊晶基板的上的第一型半导体 层、一设置于该第一型半导体层上的主动层，及一设置于该主动层上 的第二型半导体层。该发光膜层结构的一尺寸是大于或等于1英寸并 定义出至少一晶粒，且该晶粒是自该第一型半导体层朝该第二型半导 体层凸伸，并局部裸露出该第一型半导体层以定义出该晶粒的一平 台。该电极单元包括一第一电极及一第二电极。该第一电极电连接且 设置于该晶粒的平台上，该第二电极电连接于该晶粒的第二型半导体 层。

本实用新型的大面积发光二极管照明装置，该发光膜层结构的晶 粒包括一透明导电层，该透明导电层设置于该晶粒的该第二型半导体 层上。

本实用新型的大面积发光二极管照明装置，该电极单元还包括多 个第一电极线与多个第二电极线，所述第一电极线电连接于该第一电 极且向该第二电极延伸，所述第二电极线电连接于该第二电极且向该 第一电极延伸。

本实用新型的大面积发光二极管照明装置，还包含一绝缘保护层 与一图案化金属导电层，且该电极单元与该发光膜层结构的晶粒的数 量为多个，每两相邻晶粒的第一型半导体层是彼此连接或是彼此绝缘 独立，且各晶粒的平台围设其对应的向上凸伸的部分各第一型半导体 层、各主动层及各第二型半导体层，该绝缘保护层覆盖各晶粒，但使 各晶粒上的第一电极与第二电极显露于外，该图案化金属导电层设置 于该绝缘保护层上，且电连接每两相邻晶粒。

本实用新型的大面积发光二极管照明装置，该图案化金属导电层 包括多个第一导电区，且所述第一导电区是电连接每两相邻晶粒上的 第一电极与第二电极，以使所述晶粒以电串联方式导通。

本实用新型的大面积发光二极管照明装置，该图案化金属导电层 还包括多个第二导电区，且所述第二导电区是电连接每两相邻晶粒间 的第一电极与每两相邻晶粒间的第二电极，以使所述晶粒以电并联方 式导通。

本实用新型的有益效果在于，该磊晶基板与该发光膜层结构无须 切割，可使该晶粒在电流导通下直接于磊晶基板上呈现出大于等于1 英寸的发光面积，借此，可简化制造程序，并降低制造成本。