[实用新型]一种湿法刻蚀设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及光伏设备制造技术领域，更具体地说，涉及一种湿法刻 蚀设备。

背景技术

基于晶体硅片材料的硅晶光伏技术在相当长的一段时间内都将处于光伏 市场的主流地位，但晶体硅片在扩散过程中，即使是背靠背的单面扩散，硅 片的所有表面(包括边缘)也不可避免地会扩散上磷或硼。利用刻蚀工序可去除 磷硅玻璃或硼硅玻璃，硅片边缘的磷将会被去除干净，避免p-n结短路所造成 的并联电阻降低的现象，从而提高电池效率。

现有技术中的刻蚀设备，都是将硅片放置在输送滚轮上向前传送，上方 同样有滚轮压置，以防止硅片偏移，但这会造成刻蚀后的硅片有明显的滚轮 印，严重影响刻蚀效果。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种湿法刻蚀设备，利用设置 在传输滚轮上的载片框，能够避免硅片与传输滚轮接触，从而不会产生滚轮 印，提高刻蚀的质量。

本实用新型提供的一种湿法刻蚀设备，包括传输硅片的传输滚轮，所述 传输滚轮上设置有正方形的载片框，所述载片框的四条边框均固定有垂直于 各自所在的边框且与所述载片框位于同一个平面内的硅片支撑部，所述硅片 支撑部的第一端固定在所述边框上，第二端朝向所述载片框的几何中心，且 相对设置的两个所述硅片支撑部的第二端之间的距离小于所述硅片的边长。

优选的，在上述湿法刻蚀设备中，所述载片框的四条边框还均固定有垂 直于所述载片框所在的平面的硅片限位部。

优选的，在上述湿法刻蚀设备中，所述硅片支撑部的形状为圆柱体。

优选的，在上述湿法刻蚀设备中，所述硅片支撑部的直径为5毫米。

优选的，在上述湿法刻蚀设备中，所述载片框的相对的两条边框的内侧 的间距比所述硅片的边长大1毫米至2毫米。

优选的，在上述湿法刻蚀设备中，所述相对设置的两个所述硅片支撑部 的第二端之间的距离比所述硅片的边长小1毫米至5毫米。

优选的，在上述湿法刻蚀设备中，所述硅片限位部的形状为圆柱体。

优选的，在上述湿法刻蚀设备中，所述硅片限位部的直径为5毫米。

优选的，在上述湿法刻蚀设备中，所述载片框的边长为相邻的所述传输 滚轮的中心的间距的二倍。

优选的，在上述湿法刻蚀设备中，在与所述传输滚轮的传输方向相垂直 的方向上并列设置有6个所述载片框，且相邻的所述载片框共用同一个所述 边框。

从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的湿法刻蚀设备，由于所 述传输滚轮上设置有正方形的载片框，所述载片框的四条边框均固定有垂直 于各自所在的边框且与所述载片框位于同一个平面内的硅片支撑部，所述硅 片支撑部的第一端固定在所述边框上，第二端朝向所述载片框的几何中心， 且相对设置的两个所述硅片支撑部的第二端之间的距离小于所述硅片的边 长，因此能够利用所述载片框容纳并运输所述硅片，避免硅片与传输滚轮接 触，从而不会产生滚轮印，提高刻蚀的质量。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将 对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来 讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的第一种湿法刻蚀设备的局部的示意图；

图2为本申请实施例提供的第二种湿法刻蚀设备的局部的示意图；

图3为本申请实施例提供的湿法刻蚀设备的工作示意图。

具体实施方式

本实用新型的核心思想在于提供一种湿法刻蚀设备，利用设置在传输滚 轮上的载片框，能够避免硅片与传输滚轮接触，从而不会产生滚轮印，提高 刻蚀的质量。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术 方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部 分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通 技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本 实用新型保护的范围。