[实用新型]高速隔离通信器有效
申请号: | 201521061320.4 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN205232260U | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 郭亚群;张晓东;须藤朗啓 | 申请(专利权)人: | 上海光电医用电子仪器有限公司 |
主分类号: | H04L25/02 | 分类号: | H04L25/02 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 林彦之 |
地址: | 201401 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高速 隔离 通信 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种通信隔离电路,特别涉及一种高速隔离通信器。
背景技术
根据掌握的电子市场信息,RS-232协议应用非常广泛。目前PC上所搭载的RS-232模 块通信速率最高可以达到921.6kbps,但市场上还没有出现针对这种速率的TTL转RS-232 的通讯模块。目前在电子医疗产品中,由于需要采集的人体信号数据量巨大,通讯的波特 率一般在500kbps以上,并且生物信号极其微弱,容易受到噪声干扰。所以需要一种通信 速率快,隔离效果好,并且性能稳定的通讯模块。
市场上现有的TTL转RS-232的通讯模块波特率最高为115.2kbps。高于此通信速度的 只有TTL转USB设备。虽然通信速度可以满足,但是无隔离功能,且抗干扰能力较差。 对于复杂的系统来说,会造成数据的丢失和影响系统的稳定性。
传统的TTL转USB电路,因为没有隔离部分,使得被测板上的三个独立模块(AGND, DGND,AFE)在测试过程中不同类型的地被短接,且与PC的大地连通,形成多个闭合回 路,容易受到外围电路的干扰,大大降低了系统稳定性。同时会引入PC端的干扰,使得 测量数据失真。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种高速隔离通信器,本申请结合本公司在医疗器械开发中 遇到的实际问题,提出了一种高速隔离通信器的设计方案,解决了传统测试电路的被测板 上的AGND,DGND,AFE在PC端被短路,使得在开发产品时的分地设计被重新短接, 产品在测试时无法达到设计时的式样要求的问题。同时也解决了从PC端引入50Hz的工频 干扰、测试数据的准确性低,测试的时间长的问题。
为实现上述目的,本实用新型的第一个发明目的在于在通信器上设计一种无需外部驱 动器或分立器件且结构简单、性能稳定的磁耦隔离电路,以消除传统光耦合器的不确定的 电流传送比率、非线性传送特性以及随时间漂移和随温度漂移的问题。
高速隔离通信器,包括输入端、输出端和通信转换单元,输入端和输出端与通信转换 单元连接,其特征在于,还包括磁耦隔离模块,所述输入端与通信转换单元之间通过磁耦 隔离模块连接。
进一步地,所述磁耦隔离模块包括至少一个磁耦。
进一步地,所述磁耦合隔离模块包括磁耦U1、磁耦U2和磁耦U3,所述磁耦(U1)、 磁耦(U2)和磁耦(U3)分别对应被测板DGND模块RS-232串口的电源端口、数据发送 端口、数据接收端口、请求发送端口和清除请求端口,即POWER、TXD、RXD、RTS和 CTS端口。所述磁耦(U1)、磁耦(U2)和磁耦(U3)的GND1脚均连接至GNDF端。 本申请可以使被测板的DGND、AGND、AFE端口相互之间独立,不会被PC端GND干扰, 使检测电路形成的回路面积很小,不易受到噪声的干扰。
进一步地,所述磁耦U1为型号F0305XT-1WR2的直流磁耦隔离器。
进一步地,所述磁耦U2和磁耦U3为型号ADuM1201AR的双通道数字隔离器。
所述磁耦隔离模块为3kV的磁耦隔离,相比于常用的光电隔离消除了不确定的电流传 送比率、非线性传送特性以及随时间漂移和随温度漂移问题。同时功耗降低了90%,IC的 两端为独立供电,不会对采集端的信号造成二次干扰。
进一步地,所述通信转换单元为型号为MAX3225的U4信号转换芯片,所述U4信号 转换芯片的T1IN引脚和T2IN引脚分别与磁耦U2的VOB引脚、磁耦U3的VOB引脚相 连接。该芯片具有高速率,低功耗,低电流驱动等优点。
进一步地,所述磁耦隔离模块与输入端之间设置有第一滤波电路。根据信号采集信号 的特性第一滤波电路选用了低通滤波器。
进一步地,所述第一滤波电路包括四个RC滤波单元,RC滤波单元分别设置在输入端 与磁耦U2相连接的引线以及输入端与磁耦U3相连接的引线上。且四个RC滤波单元之间 相互独立。为了更好地适用本公司产品,RC滤波单元的截止频率为700kHz,后期可以根 据需要对截止频率调整,最高可达到1MHz。
进一步地,还包括去耦电容(C9、C10、C11、C12),去耦电容(C9、C10、C11、C12) 分别安装在磁耦U2和磁耦U3的信号输入端和信号输出端。
进一步地,还包括防止磁耦U2和磁耦U3击穿的下拉电阻R5,所述下拉电阻R5电阻 值3.3K。
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