[实用新型]一种温度梯度晶体生长上保温屏

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种人工晶体生长高温设备，属于晶体生长温场设计技术领域，具体是一 种温度梯度晶体生长上保温屏。

背景技术

随着人工晶体科学技术的发展，对晶体材料的要求越来越高，这也意味着对晶体材料的生 长工艺和生长设备的要求越来越高。晶体生长工艺的关键在于高温设备下对晶体温场的控制。

大尺寸和优质的晶体的生长，要解决温度控制和温度在熔体和固相中的梯度问题，所以最 重要的是冷坩埚中温度场的分布。但在冷坩埚内生长晶体时，熔体的高温度导致从其表面发生 很大的热损失，使晶体系统的平衡变得不稳定，因此，对晶体生长有不利的影响。传统设备上 保温屏采用未进行梯度分层的多层结构，此结构由于未进行梯度分层在热辐射过程中对晶体生 长上部不能进行有效的温度梯度控制，使晶体在坩埚中生长时的纵横向温度梯度未有效形成， 不能实现对温度梯度的精确控制从而无法达到生长出优良品质晶体的效果。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足之处，提供了一种结构设计简单，并能获得晶 体稳定生长的温度梯度晶体生长上保温屏。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种温度梯度晶体生长上保温屏，包括若干圆环形的钼保温片和圆环形的悬挂支撑片，该 若干钼保温片上下平行间隔层叠布置且圆心位于同一直线上；该若干钼保温片外径相同且内径 由上层到下层依次由大变小；该悬挂支撑片位于最上层的钼保温片之上且与该若干钼保温片平 行间隔层叠布置，悬挂支撑片的外径大于各钼保温片的外径；还包括第一组支撑钼杆和第二组 支撑钼杆，该第一组支撑钼杆穿过各钼保温片且通过第一组钼螺母与各钼保温片固接；该第二 组支撑钼杆穿过悬挂支撑片和各钼保温片且通过第二组钼螺母与悬挂支撑片和各钼保温片固 接。

一实施例中：所述若干钼保温片为14～16个。

一实施例中：相邻两层的所述钼保温片的内径之差为4～6mm。

一实施例中：所述悬挂支撑片的内径大于最上层钼保温片的内径。

一实施例中：所述若干钼保温片的间距相等。

一实施例中：所述悬挂支撑片与最上层的钼保温片的距离大于各层钼保温片的间距。

一实施例中：该第一组支撑钼杆为3～5个，该3～5个第一组支撑钼杆周向间隔布置；该 第二组支撑钼杆为43～5个，该3～5个第二组支撑钼杆周向间隔布置。

一实施例中：所述第一组支撑钼杆位于第二组支撑钼杆内侧。

一实施例中：所述钼保温片上均设有位置相互对应的第一组安装孔，所述悬挂支撑片和钼 保温片上均设有位置相互对应的第二组安装孔；所述第一组支撑钼杆穿过第一组安装孔且通过 第一组钼螺母与各钼保温片固接；所述第二组支撑钼杆穿过第二组安装孔且通过第二组钼螺母 与悬挂支撑片和各钼保温片固接。

本技术方案与背景技术相比，它具有如下优点：

1.本实用新型采用温度梯度多层圆环形钼保温片的结构，均衡了冷坩埚内的保温性，利用 了钼材质熔点高、热传导性能好的特点，进一步保证了晶体生长的高温环境且成本更低。

2.温度梯度多层圆环形钼保温片的间距组合，保证了冷坩埚内晶体生长热辐射时产生的纵 向与横向间的温度梯度差，以能更准确的把握晶体在控径时的精确度，从而解决了晶体生长过 程中温度偏差不均匀而导致的偏心生长且无法确保晶体品质的稳定。

3.各层钼保温片间、钼保温片与悬挂支撑片间采用支撑钼杆和钼螺母固接，钼杆和钼螺母 刚性好，能够有力地支撑各保温片和悬挂支撑片并使其相互之间的间距得以固定，在晶体生长 的高温环境中支撑钼杆和钼螺母也不会发生形变、脆化或裂开，能够有效避免各层钼保温片塌 陷堆积，防止失去温度梯度，从而进一步保障晶体生长过程中品质的稳定；且造价低，制作容 易，有利于大规模生产。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1为本实用新型的温度梯度晶体生长上保温屏俯视示意图。

图2为本实用新型的温度梯度晶体生长上保温屏纵剖面示意图，其中圆环形的钼保温片和 悬挂支撑片中央缺失部分用虚线表示。

附图标记：钼保温片1，悬挂支撑片2，第一组支撑钼杆3，第一组钼螺母4，第二组支撑 钼杆5，第二组钼螺母6。

具体实施方式