[实用新型]一种MOSFET保护电路

权利要求书

1.一种MOSFET保护电路，其特征在于：包括控制器MCU、第三限流电阻R3、MOSFET驱动器U1、第四驱动限流电阻R4、MOSFET管Q1、第六电流取样电阻R6，所述的控制器MCU经第三限流电阻R3电连接到MOSFET驱动器U1的输入端，MOSFET驱动器U1输出端经第四驱动限流电阻R4与MOSFET管Q1的栅极（G极）相连，所述的MOSFET管Q1的源极（S极）经第六电流取样电阻R6后接地，所述的MOSFET管Q1的漏极（D极）电连接外部负载；

设置在第六电流取样电阻R6两端，把从第六电流取样电阻R6两端取样的代表电流大小的压差信号放大的差分放大电路；

电连接所述的差分放大电路的RC延时电路；以及，

设置在所述的RC延时电路输出端的施密特触发器二U4，所述的施密特触发器二U4的输出端与第一二极管D1的负极相连；第一二极管D1的正极接入到第三限流电阻R3与MOSFET驱动器U1的输入端的电连接点上。

2.根据权利要求1所述的一种MOSFET保护电路，其特征在于：所述的差分放大电路包括运算放大器U3、第五输入电阻R5、第八输入电阻R8、第九分压电阻R9和第十反馈电阻R10，所述的运算放大器U3的负输入端经第八输入电阻R8电连接第六电流取样电阻R6的接地端，所述的运算放大器U3的正输入端经第五输入电阻R5电连接在第六电流取样电阻R6的另一端，第十反馈电阻R10电连接运算放大器U3的输出端和负输入端，所述的第五输入电阻R5经第九分压电阻R9后接地。

3.根据权利要求1所述的一种MOSFET保护电路，其特征在于：所述的RC延时电路包括第七限流电阻R7和第一电容C1，所述的第七限流电阻R7的一端电连接差分放大电路的运算放大器U3的输出端，所述的第七限流电阻R7的另一端电连接所述的施密特触发器二U4的输入端和所述的第一电容C1。

4.根据权利要求1、2或3所述的一种MOSFET保护电路，其特征在于：所述的MOSFET管Q1的漏极（D极）电连接诊断反馈电路，所述的诊断反馈电路包括电连接所述的MOSFET管Q1的漏极（D极）的第一限流电阻R1、与所述的第一限流电阻R1串联的第二分压电阻R2和输入端与所述的第二分压电阻R2电连接的施密特触发器一U2，所述的施密特触发器一U2输出端电连接到控制器MCU的输入口上。