[实用新型]一种信号整形电路有效
| 申请号： | 201521052527.5 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN205179006U | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 何克勤 | 申请（专利权）人： | 西安森派电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/01 | 分类号： | H03K5/01 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 景丽娜 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 信号 整形 电路 | ||
1.一种信号整形电路，其特征在于：包括控制器(1)和与所述控制器(1)输出端相接的 信号整形单元(2)，所述信号整形单元(2)包括与所述控制器(1)输出端相接的采样保持电 路(2-1)和与所述采样保持电路(2-1)相接的电压跟随电路(2-2)；所述采样保持电路(2-1) 包括采样芯片、保持电容以及与所述采样芯片和所述保持电容均连接的电荷泄放开关；所 述电荷泄放开关与所述控制器(1)输出端相接，所述信号整形单元(2)的数目为一个或多 个。
2.按照权利要求1所述的一种信号整形电路，其特征在于：所述采样芯片包括芯片U1， 所述芯片U1的反相输入端分两路，一路经电阻R1与5V电源相接，另一路经电阻R2接地；芯片 U1的同相输入端分两路，一路经电阻R3接地，另一路为采样芯片的信号输入端；芯片U1的输 出端与二极管D1的阳极相接。
3.按照权利要求2所述的一种信号整形电路，其特征在于：所述保持电容为电容C3，所 述电容C3的一端与二极管D1的阴极相接，另一路接地。
4.按照权利要求3所述的一种信号整形电路，其特征在于：所述电荷泄放开关为MOSFET 管Q2，所述MOSFET管Q2的栅极与控制器(1)相接，MOSFET管Q2的源极接地，MOSFET管Q2的漏 极与电容C3的一端和二极管D1的阴极的连接端相接。
5.按照权利要求4所述的一种信号整形电路，其特征在于：所述电压跟随电路(2-2)包 括MOSFET管Q1、电阻R4、反馈电容C1和隔直电容C2，所述MOSFET管Q1的栅极与MOSFET管Q2的 漏极、电容C3的一端和二极管D1的阴极的连接端相接，MOSFET管Q1的源极经电阻R4接地， MOSFET管Q1的漏极与5V电源相接，MOSFET管Q1的源极和电阻R4的连接端分两路，一路经反 馈电容C1与芯片U1的反相输入端相接，另一路经隔直电容C2信号输出。
6.按照权利要求1所述的一种信号整形电路，其特征在于：所述控制器(1)包括单片机、 微控制器或定时器。
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