[实用新型]电流感测放大器和电流感测系统有效
申请号: | 201521001650.4 | 申请日: | 2015-12-07 |
公开(公告)号: | CN205194327U | 公开(公告)日: | 2016-04-27 |
发明(设计)人: | L·O·科雷奥斯迪奴;R·普斯卡素;P·布莱佐尔;C·D·斯坦埃斯库;N·伯顿 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流感 放大器 系统 | ||
1.一种电流感测放大器,具有扩大的共模CM输入电压范围, 其特征在于包括:
与正供电轨耦合的低电压LVp型金属氧化物半导体PMOS输入 模块,其中所述正供电轨提供包括施加到所述电流感测放大器的正输 入信号IN+电压和内部的供电电压之间的最大值的电压;以及
与所述正供电轨耦合的电压调节器,所述电压调节器生成经由高 电压接地HV_GND线提供到所述LVPMOS输入模块的相对于所述 正供电轨的电压降低了的电压电平,
其中所述LVPMOS输入模块的至少一部分由所述正供电轨和所 述HV_GND线之间的电压差来供电,
并且,其中所述电压调节器将所述电压差维持在所述LVPMOS 输入模块内的一个或多个LV器件的操作范围内。
2.根据权利要求1所述的电流感测放大器,其特征在于还包括:
LVn型金属氧化物半导体NMOS输入模块,与IN+输入节点和 接地耦合并且包括至少一个高电压HV器件,所述HV器件保护所述 LVNMOS输入模块内的一个或多个LV器件,其中LVNMOS输入 模块由所述IN+输入节点和接地之间的电压差供电;以及
求和模块,与所述LVPMOS输入模块的输出和所述LVNMOS 输入模块的输出耦合并且将所述LVPMOS输入模块的输出和所述 LVNMOS输入模块的输出作为输入接受,
其中对于低于第一阈值的第一CM电压范围,所述求和模块的输 出与所述LVPMOS输入模块的输出成正比,
其中对于高于所述第一阈值并且低于第二阈值的第二CM电压范 围,所述求和模块的输出与所述LVPMOS输入模块的输出和所述LV NMOS输入模块的输出的和成正比,
并且,其中对于高于所述第二阈值的第三CM电压范围,所述求 和模块的输出与所述LVNMOS输入模块的输出成正比。
3.根据权利要求2所述的电流感测放大器,其特征在于
其中所述LVNMOS输入模块包括耦合在HV输出器件和所述LV NMOS模块的对应的输出之间的一个或多个二极管,所述一个或多个 二极管中的每个定向为使得电流从每个输出流出;并且
其中所述LVNMOS输入模块还包括耦合在所述LVNMOS输入 模块内的所述至少一个HV器件和所述一个或多个LV器件之间的至 少一个额外的二极管,所述至少一个额外的二极管定向为使得电流流 向接地。
4.根据权利要求2所述的电流感测放大器,其特征在于所述LV NMOS输入模块和所述LVPMOS输入模块各自包括与两个输入模块 的输出都串联的至少一个HVMOS器件,所述至少一个HVMOS器 件中的每个用于将呈现在所述输出处的信号的电压范围按比例控制在 0V和5V之间,包括0V和5V。
5.根据权利要求1所述电流感测放大器,其特征在于所述电压调 节器包括齐纳二极管,或者一系列二极管或肖特基二极管,或者一系 列二极管接法的MOS器件。
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