[实用新型]一种多功能耦合去耦合网络有效
申请号: | 201520989622.1 | 申请日: | 2015-12-01 |
公开(公告)号: | CN205246771U | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 季军;涂辛雅;黄英;潘建根 | 申请(专利权)人: | 杭州远方仪器有限公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多功能 耦合 网络 | ||
1.一种多功能信号线耦合去耦合网络,包括耦合电路(1)和去耦合电路(2),所述耦合电路(1)包括由n路并联连接的线路组成的耦合高端线路(11),其中n≥1;所述去耦合电路(2)中具有n路与耦合高端线路(11)对应连接的去耦合线路;其特征在于,每路耦合高端线路(11)包括串联连接的一个限流电阻阵列和一个高端耦合器件阵列,限流电阻阵列由一个及以上的电阻并联组成,高端耦合器件阵列具有一个及以上以可切换方式并联连接的耦合元件;该耦合电路(1)中还包括控制耦合路径的耦合低端线路(12),所述耦合低端线路(12)由n+1路并联连接的线路构成,其中一路接地,其余n路线路分别与n路耦合高端线路(11)一一连接。
2.如权利要求1所述的耦合去耦合网络,其特征在于,所述每路耦合低端线路(12)均以可切换的方式与耦合高端线路(11)连接,每路耦合低端线路(12)与其对应的耦合高端线路(11)的结点位于耦合高端线路(11)限流电阻阵列与高端耦合器件阵列之间。
3.如权利要求1所述的耦合去耦合网络,其特征在于,所述耦合低端线路(12)中一路以可切换的方式接地,其余n路线路中的每路线路通过可切换的低端耦合器件阵列分别与n路耦合高端线路(11)一一连接;每路耦合低端线路(12)与其对应的耦合高端线路(11)的结点位于耦合高端线路(11)高端耦合器件阵列与去耦合线路之间。
4.如权利要求1至3任一项所述的耦合去耦合网络,其特征在于,所述耦合高端线路(11)路数n≥2时,相邻去耦合线路两两设置在同一磁芯内。
5.如权利要求1至3任一项所述的耦合去耦合网络,其特征在于,所述限流电阻阵列以可切换方式与高端耦合器件阵列连接;所述可切换限流电阻阵列、可切换高端耦合器件阵列与可切换耦合低端线路(12)或可切换低端耦合器件阵列共同动作以实现耦合路径、耦合方式的改变。
6.如权利要求1至3任一项所述的耦合去耦合网络,其特征在于,所述可切换的方式可通过继电器、普通开关或者插拔的方式实现。
7.如权利要求1至3任一项所述的耦合去耦合网络,其特征在于,所述每路耦合高端线路(11)的等效电阻值可以为0Ω、25Ω或者40Ω,所述限流电阻阵列包括至少一个与等效电阻值相等的限流电阻。
8.如权利要求7所述的耦合去耦合网络,其特征在于,所述限流电阻阵列中还包括阻值等于每路耦合高端线路(11)的等效电阻值与实际参与耦合的线路路数乘积的限流电阻,其中所述等效电阻阻值为40Ω。
9.如权利要求1至3任一项所述的耦合去耦合网络,其特征在于,所述高端耦合器件阵列和/或低端耦合器件阵列中耦合元件的类型包括气体放电管、电容和雪崩二极管;其中所述电容容量可以是0.5μF或者3μF。
10.如权利要求9所述的耦合去耦合网络,其特征在于,所述高端耦合器件阵列中和/或低端耦合器件阵列中还包括一个用于导通所在电路的电阻,该电阻的阻值为0Ω。
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