[实用新型]一种太阳能电池载板

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种太阳能电池载板。

背景技术

晶体硅太阳能电池具有光电转换效率高，生产技术成熟等优点，一直以来 占据着世界太阳能电池总产量的绝大部分，然而传统晶体硅太阳能电池生产中 的高温扩散制PN结工艺导致的一系列问题以及缺乏良好的表面钝化机制还没 有得到很好地改善，因此限制了电池效率的提升。

太阳能电池由于综合了单晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池的优势，该 电池具有制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好等特点，是一种低价高效 电池。

如图1所示，太阳能电池制造方法为利用PECVD在表面织构化后的N型硅片 的正面依次沉积很薄的本征非晶硅薄膜和p型非晶硅薄膜，然后在N型硅片的 背面依次沉积薄的本征非晶硅薄膜和n型非晶硅薄膜，PECVD沉积温度为 150～200℃，然后利用溅射技术在N型硅片的两面沉积透明氧化物导电薄膜，然 后在透明氧化物导电薄膜上制作银浆电极。其中，利用PECVD在硅片上沉积 非晶硅薄膜对其界面进行钝化，是该电池取得高效的重要原因。

因此PECVD是太阳能电池制备中极为关键的一步。太阳能电池载板用于 装载硅片，以便于传送、加热、镀膜。如图2所示，通常一片太阳能电池载板 具有间隔排列的多个硅片对位槽，可以装载多片硅片，硅片的传送、加热、镀 膜过程都只用到一块载板，而忽略了传送过程中载板对硅片表面的损伤和硅片 进入腔室后的加热速率。但是对太阳能电池而言，PECVD沉积非晶硅薄膜前 硅片表面的状态对电池性能影响至关重要，传统的载板厚度很厚、热容大，在 传送过程中硅片整个面与载板表面接触，导致硅片与载板表面极易发生摩擦并 对硅片表面造成损伤，从而影响到硅片表面的状态。且装载硅片的载板频繁进 出真空腔室，载板的热容损失很大，硅片通过载板加热，导致硅片的加热速率 也严重下降，从而严重降低生产效率。另外CVD沉积i/n/p层非晶硅的最佳工 艺温度相差较大，在沉积不同非晶硅膜层时，需要更换载板或使用同一块载板 在待沉积的腔室内放置一段时间达到工艺温度后才能开始沉积，从而严重影响 到生产效率；

因此，很有必要对现有技术进行改进，以克服以上技术缺陷。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中的缺陷，提供一种太阳能电池载板， 其具有转换效率高、生产效率高的特点。

为实现上述目的，本实用新型采用以下设计方案：

一种太阳能电池载板，其包括传送载板与镀膜载板，所述传送载板包括设 有开孔的传送边框主体，在所述开孔中设有多条交叉设置的金属线，所述金属 线形成多个承载区域用于承载多个硅片，所述金属线设有固定硅片的硅片对位 块，所述硅片对位块上设有用于支撑硅片的硅片支撑条；所述镀膜载板包括基 板，所述基板上设有与传送载板的承载区域对应的硅片对位槽，还设有与传送 载板的金属线对应的金属线对位槽，以及与传送载板的硅片对位块对应的硅片 对位块对位槽，所述传送载板的传送边框主体扣合在镀膜载板的基板外侧。

优选的，所述传送边框主体的材质为金属、金属合金、碳纤维、陶瓷中的 至少一种。

优选的，所述金属线为线性热膨胀系数小于9*10^-6/K的金属或金属合金， 所述金属或金属合金为钨、因瓦合金或钼。

优选的，所述硅片对位块由3～8条金属线交叉固定。

优选的，所述硅片支撑条均匀设在硅片对位块的边缘。

优选的，所述镀膜载板的基板的材质为金属、金属合金、碳纤维中的至少 一种。

优选的，所述镀膜载板的基板的外侧壁之间的距离比传送载板的传送边框 主体的内侧壁之间的距离小。

优选的，所述硅片对位槽的内侧边与传送载板的承载区域所承载的硅片的 外侧边距离为0.5～10mm。

优选的，所述硅片对位槽的顶面比传送载板的承载区域所承载的硅片上表 面高。

优选的，所述金属线对位槽及硅片对位块对位槽的槽底比传送载板的承载 区域所承载的硅片下表面低。