[实用新型]电磁加热装置及电磁加热装置中IGBT的过压保护电路有效

专利信息
申请号: 201520965446.8 申请日: 2015-11-26
公开(公告)号: CN205179402U 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 汪钊 申请(专利权)人: 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司;美的集团股份有限公司
主分类号: H05B6/02 分类号: H05B6/02;H05B6/06
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张大威
地址: 528311 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电磁 加热 装置 igbt 保护 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电磁加热技术领域,特别涉及一种电磁加热装置中IGBT 的过压保护电路以及一种具有该过压保护电路的电磁加热装置。

背景技术

目前,家用电磁加热产品在工作过程中因电网波动等原因很容易导致IGBT (InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)在关断过程 中出现C极电压过高现象。

但是,在IGBT的C极电压超标后如果无法及时保护IGBT,容易导致IGBT 过压击穿,使得家用电磁加热产品损坏。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为 此,本实用新型的一个目的在于提出一种电磁加热装置中IGBT的过压保护电 路,通过控制可控开关导通以使谐振电容和谐振线圈对泄放电容充电,从而降 低IGBT的C极电压,达到保护IGBT的目的。

本实用新型的另一个目的在于提出一种电磁加热装置。

为达到上述目的,本实用新型提出了一种电磁加热装置中IGBT的过压保 护电路,其中,所述IGBT与所述电磁加热装置中的谐振电容和谐振线圈构成 谐振电路,所述过压保护电路包括:电压检测单元,所述电压检测单元与所述 IGBT的C极相连以检测所述IGBT的C极电压;可控开关和泄放电容,所述可 控开关和泄放电容串联后与所述谐振线圈并联;过压保护单元,所述过压保护 单元的输入端与所述电压检测单元的输出端相连,所述过压保护单元的输出端 与所述可控开关的控制端相连,所述过压保护单元在所述IGBT的C极电压大 于或等于预设电压阈值时控制所述可控开关导通以使所述谐振电容和谐振线 圈对所述泄放电容充电,以降低所述IGBT的C极电压。

根据本实用新型提出的电磁加热装置中IGBT的过压保护电路,在IGBT的 C极电压大于或等于预设电压阈值时通过过压保护单元控制可控开关导通以 使谐振电容和谐振线圈对泄放电容充电,从而通过泄放电容释放能量以使得 IGBT的C极电压下降,达到保护IGBT的目的,避免IGBT过压击穿,提高了 电磁加热装置安全可靠性。

其中,所述过压保护单元具体包括:串联的第一电阻和第二电阻,所述串 联的第一电阻和第二电阻连接在预设电源与地之间,所述串联的第一电阻和第 二电阻之间具有第一节点;比较器,所述比较器的正输入端与所述电压检测单 元的输出端相连,所述比较器的负输入端与所述第一节点相连,所述比较器的 输出端与所述可控开关的控制端相连。

并且,所述电压检测单元具体包括:串联的第三电阻和第四电阻,所述第 三电阻的一端与所述IGBT的C极相连,所述第三电阻的另一端与所述第四电 阻的一端相连,所述第四电阻的另一端接地,所述第三电阻的另一端与所述第 四电阻的一端之间具有第二节点,所述第二节点作为所述电压检测单元的输出 端。

具体地,所述谐振电容和谐振线圈并联后与所述IGBT的C极相连,所述 IGBT的G极与所述电磁加热装置中的控制器相连,所述IGBT的E极接地。

具体地,所述电磁加热装置还包括整流桥堆和滤波电路,所述整流桥堆的 输入端与交流市电电源相连,所述整流桥堆的输出端与所述滤波电路的输入端 相连,所述滤波电路的输出端与并联的谐振电容和谐振线圈相连。

其中,所述滤波电路具体包括:第一电容,所述第一电容并联在所述整流 桥堆的输出端之间;第一电感,所述第一电感的一端与所述第一电容的一端相 连,所述第一电感的另一端分别与所述并联的谐振电容和谐振线圈相连;第二 电容,所述第二电容的一端与所述第一电感的另一端相连,所述第二电容的另 一端与所述第一电容的另一端相连后接地。

具体地,所述可控开关为可控二极管、继电器、可控硅和MOS管中的任意 一种。

并且,当所述可控开关为所述可控二极管,所述可控二极管的阳极与所述 IGBT的C极相连,所述可控二极管的阴极与所述泄放电容相连。

此外,本实用新型还提出了一种电磁加热装置,其包括上述的电磁加热装 置中IGBT的过压保护电路。

本实用新型提出的电磁加热装置,通过上述的过压保护电路,能够在IGBT 的C极电压大于或等于预设电压阈值时控制可控开关导通以使谐振电容和谐 振线圈对泄放电容充电,从而通过泄放电容释放能量以使得IGBT的C极电压 下降,达到保护IGBT的目的,避免IGBT过压击穿,安全可靠性得到了大大提 高。

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