[实用新型]一种感应加热金红石单晶体生长炉有效
| 申请号： | 201520962478.2 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN205241849U | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 唐坚;刘旭东;张瑞青;毕孝国;孙旭东 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 屈芳 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 感应 加热 金红石 单晶体 生长 | ||
1.一种感应加热金红石单晶体生长炉，其特征在于，包括：
炉壳；炉壳为通过陶瓷板隔开的上腔体与下腔体，炉壳的顶端设置有进料 口；
第一加热装置，包括导电陶瓷管置于上腔体内作为加热段，导电陶瓷管为 进料口与下腔体的进料通道，导电陶瓷管外套设石英管，石英管外缠绕第一电 磁感应线圈，上腔体内填充保温岩棉；
生长室，设置在下腔体内，与导电陶瓷管共中心轴相通，在生长室内设置 可升降的基座杆，第一加热装置下方设置为生长室的生长区，对应生长区的侧 面开设观察窗；
第二加热装置，包括设置晶体生长区的下方的生长室的保温层内的第二电 磁感应线圈形成保温段。
2.按照权利要求1所述的生长炉，其特征在于，所述生长室与导电陶瓷管 连接处设置在陶瓷板上，为广口结构，在广口结构区域作为晶体生长区。
3.按照权利要求1所述的生长炉，其特征在于，进料口为喷嘴。
4.按照权利要求1所述的生长炉，其特征在于，所述加热段的高度为 120～160mm。
5.按照权利要求1所述的生长炉，其特征在于，所述保温段的高度为 170～200mm。
6.按照权利要求1所述的生长炉，其特征在于，所述第一电磁感应线圈电 流可调范围为50～130A，温度变化范围为900～2800℃。
7.按照权利要求1所述的生长炉，其特征在于，所述第二电磁感应线圈电 流范围10～50A，温度变化为500～1500℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北大学，未经东北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520962478.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶体生长用坩埚
- 下一篇：一种饰品坯电镀前表面化学清洗用辅助挂架
