[实用新型]一种热隔离的平板探测器结构有效
| 申请号: | 201520953295.4 | 申请日: | 2015-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN205264703U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
| 发明(设计)人: | 王红光 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 唐棉棉 |
| 地址: | 201201 上海市浦东新区张江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 隔离 平板 探测器 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种平板探测器,特别是涉及一种热隔离的平板探测器结构。
背景技术
非晶硅X射线平板探测器的成像过程需要经历“X射线”到“可见光”,然后“电荷图 像”到“数字图像”的成像转换过程。通常,非晶硅X射线平板探测器也被称作间接转换型平 板探测器,是一种以非晶硅光电二极管阵列为核心的X射线影像探测器。在X射线照射下探 测器的闪烁体或荧光体层将X射线光子转换为可见光,而后由具有光电二极管作用的非晶 硅阵列变为图像电信号,通过外围电路积分读出及A/D变换,从而获得数字化图像。非晶硅 平板探测器具有成像速度快,良好的空间及密度分辨率,高信噪比,直接数字输出等显著优 点。
随着平板探测器技术的发展,平板探测器的结构设计也随之发展,多种多样,各家 不一。但是,现有的平板探测器如图1所示,所述平板探测器结构包括:顶部具有开口的外壳 10A;盖在所述外壳10A顶部开口处的上盖20A;安装在所述外壳10A中的结构件50A;以及分 别固定在所述结构件50A上、下表面的TFT平板70A和电路板90A。由附图1看出,TFT平板50A 和电路板90A安装在同一个结构件50A上,并整体处于同一个腔体中。在使用过程中,电路板 90A上产生的热量既可以通过结构件50A的热传导影响到TFT平板70A,又可以通过空气的热 对流影响到TFT平板,从而导致探测器在使用过程中性能不稳定,且一定程度上影响到了整 个平板探测器的使用寿命。
因此,将TFT平板和电路板进行热隔离,对于提高探测器性能和寿命都有较大的作 用。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种热隔离的平板探 测器结构,用以解决现有技术中平板探测器中TFT平板和电路板安装在同一个结构件上,并 处于同一个腔体中导致电路板产生的热量容易传给TFT平板的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种热隔离的平板探测器结 构,所述平板探测器结构至少包括:
顶部具有开口的外壳;
盖在所述外壳顶部开口处的上盖;
安装在所述外壳内的绝热层,所述绝热层将所述外壳的内部分为第一腔体和第二 腔体;
固定在所述第一腔体内绝热层表面的第一结构件;
固定在所述第一结构件表面的TFT平板;
固定在所述第二腔体内绝热层表面的第二结构件;
固定在所述第二结构件表面的电路板。
作为本实用新型热隔离的平板探测器结构,所述TFT平板位于所述上盖的正下方。
作为本实用新型热隔离的平板探测器结构,所述上盖为碳纤维板。
作为本实用新型热隔离的平板探测器结构,所述绝热层上设置有通道给柔性电路 板走线,所述TFT平板和电路板通过所述柔性电路板通信连接。
作为本实用新型热隔离的平板探测器结构,所述绝热层通过固定螺栓水平安装在 所述外壳内的中间位置,上方靠近所述上盖为第一腔体,下方靠近所述外壳底部为第二腔 体。
作为本实用新型热隔离的平板探测器结构,所述第一件结构件、TFT平板固定在所 述绝热层上方且靠近所述上盖,所述第二结构件、电路板固定在所述绝热层下方且靠近所 述外壳底部。
作为本实用新型热隔离的平板探测器结构,所述TFT平板为基于非晶硅工艺技术 制作的玻璃平板。
如上所述,本实用新型提供一种热隔离的平板探测器结构,所述热隔离的平板探 测器结构至少包括顶部具有开口的外壳;盖在所述外壳顶部开口处的上盖;安装在所述外 壳内的绝热层,所述绝热层将所述外壳的内部分为第一腔体和第二腔体;固定在所述第一 腔体内绝热层表面的第一结构件;固定在所述第一结构件表面的TFT平板;固定在所述第二 腔体内绝热层表面的第二结构件;固定在所述第二结构件表面的电路板。本实用新型的平 板探测器结构,将TFT平板和电路板用绝热材料层进行隔离,使得TFT平板和电路板所处的 腔室分开,保持TFT平板所处的腔室较低温度,从而降低探测器的噪声,减少温度偏移,提高 性能。此外,降低TFT平板的使用温度也可提高探测器整体的使用寿命。
附图说明
图1显示为现有技术的平板探测器结构示意图。
图2显示为本实用新型热隔离的平板探测器结构示意图。
元件标号说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





