[实用新型]集成电路有效
| 申请号： | 201520946134.2 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN205248263U | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | A·帕加尼;G·吉兰多;F·G·齐格利奥利;A·菲诺基亚洛 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
1.一种集成电路IC，其特征在于，包括：
半导体衬底，具有形成在所述半导体衬底中的电路；
至少一个互连层，在所述半导体衬底上方并且包括耦合到所述电路的天线；
密封环，在所述至少一个互连层的外围周围；以及
至少一个电绝缘沟槽，竖直地延伸到所述半导体衬底中并且从所述半导体衬底的相邻 的一侧向所述半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过所述半导体衬底。
2.根据权利要求1所述的IC，其特征在于，所述至少一个电绝缘沟槽从所述半导体衬底 的一侧边缘向另一侧边缘横向地延伸。
3.根据权利要求1所述的IC，其特征在于，所述电路包括收发器电路以及耦合到所述收 发器电路的压力传感器电路。
4.根据权利要求1所述的IC，其特征在于，所述至少一个电绝缘沟槽包括多个电绝缘沟 槽。
5.根据权利要求1所述的IC，其特征在于，所述至少一个电绝缘沟槽包括多个交叉的电 绝缘沟槽。
6.根据权利要求1所述的IC，其特征在于，所述至少一个电绝缘沟槽从所述半导体衬底 的顶表面竖直地延伸。
7.根据权利要求1所述的IC，其特征在于，所述至少一个电绝缘沟槽从所述半导体衬底 的底表面竖直地延伸。
8.根据权利要求1所述的IC，其特征在于，所述至少一个电绝缘沟槽具有锥形侧壁。
9.根据权利要求1所述的IC，其特征在于，所述密封环包括连续的电传导环。
10.根据权利要求1所述的IC，其特征在于，所述密封环包括非连续的电传导环。
11.根据权利要求1所述的IC，其特征在于，所述IC还包括在所述至少一个互连层之上 的钝化层。
12.一种集成电路IC，其特征在于，包括：
半导体衬底，具有形成在所述半导体衬底中的电路，所述电路包括收发器电路以及耦 合到所述收发器电路的压力传感器电路；
至少一个互连层，在所述半导体衬底上方并且包括耦合到所述收发器电路的天线；
密封环，在所述至少一个互连层的外围周围；以及
至少一个电绝缘沟槽，竖直地延伸到所述半导体衬底中并且从所述半导体衬底的一侧 边缘向所述半导体衬底的另一侧边缘横向地延伸跨过所述半导体衬底。
13.根据权利要求12所述的IC，其特征在于，所述至少一个电绝缘沟槽包括多个电绝缘 沟槽。
14.根据权利要求12所述的IC，其特征在于，所述至少一个电绝缘沟槽包括多个交叉的 电绝缘沟槽。
15.根据权利要求12所述的IC，其特征在于，所述至少一个电绝缘沟槽从所述半导体衬 底的顶表面竖直地延伸。
16.根据权利要求12所述的IC，其特征在于，所述至少一个电绝缘沟槽从所述半导体衬 底的底表面竖直地延伸。
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