[实用新型]扬声器

说明书

技术领域

本实用新型涉及电声产品技术领域，特别涉及一种扬声器。

背景技术

扬声器用于完成电信号与声音信号之间的转换，是一种能量转换器件。现有的扬声器包括振动系统和磁路系统，磁路系统主要包括T铁及设置在T铁边缘部位的磁铁和华司，磁铁和华司与T铁之间设有磁间隙，振动系统中的音圈位于磁间隙内。在扬声器工作时，外部声波电信号驱动音圈在磁间隙内振动，在音圈振动的同时，会产生反向的感应磁场，此感应磁场会使得扬声器的高频阻抗快速上升，抑制高频输出，导致高频频率响应受损。

为了克服上述技术问题，技术人员会在磁间隙内设置一个短路环，此短路环能够抵消音圈产生的感应磁场，减小其对磁场的影响，改善扬声器的高频响应。但是，在磁间隙内设置短路环会占用磁间隙的空间，导致磁间隙空间减小，会造成扬声器的灵敏度下降，降低扬声器的整体声学性能。

实用新型内容

针对以上缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种扬声器，此扬声器高频性能好，灵敏度高，整体声学性能好。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：

一种扬声器，包括外壳，及收容在所述外壳内的振动系统和磁路系统，所述磁路系统包括导磁部件及依次固定在所述导磁部件上的磁铁和华司，所述扬声器还包括短路环，所述短路环固定在所述华司靠近磁间隙的一侧，所述华司上对应所述短路环的位置设有环槽，所述短路环固定在所述环槽内，且所述短路环的外表面与所述华司的该侧表面齐平。

其中，所述华司包括叠加设置的第一华司半体和第二华司半体，所述第一华司半体与所述第二华司半体结构相同且对称设置，所述第一华司半体和所述第二华司半体靠近所述磁间隙一侧且二者相接触的位置均设有凹陷部，两个所述凹陷部共同构成所述环槽。

其中，所述华司靠近所述磁间隙的一侧凸出于所述磁铁，所述第一华司半体和所述第二华司半体凸出于所述磁铁的位置分别设有向远离所述环槽方向凸起的凸沿。

其中，所述凸沿的纵截面为直角三角形或直角梯形。

其中，所述磁铁包括依次固定在所述导磁部件中部的内磁铁及环绕在所述内磁铁外周的外磁铁，所述内磁铁和所述外磁铁上分别固定有内华司和外华司，所述内磁铁和内华司与所述外磁铁和所述外华司之间设有所述磁间隙；所述内华司和所述外华司均由所述第一华司半体和所述第二华司半体构成。

其中，所述内华司和所述外华司上均固定有所述短路环。

其中，所述外磁铁的内侧固定有另一短路环。

其中，所述内磁铁的外侧固定有再一短路环。

采用了上述技术方案后，本实用新型的有益效果是：

由于本实用新型扬声器的短路环固定在华司靠近磁间隙的一侧，华司上设有环槽，短路环固定在环槽内，且短路环的外表面与华司的该侧表面齐平。短路环抵消了音圈产生的感应磁场，抑制了高频阻抗的上升，提升了扬声器的高频输出，减小了音圈产生的感应磁场对磁路非线性的影响，从而减小了谐波失真；同时短路环镶嵌在华司内，其外表面与华司的该侧表面齐平，侧短路环不占用磁间隙的空间，避免了短路环对磁场强度的影响，提高了扬声器的灵敏度，从而提升了扬声器的整体声学性能。

由于华司包括叠加设置的第一华司半体和第二华司半体，第一华司半体与第二华司半体结构相同且对称设置，第一华司半体和第二华司半体相接触的位置均设有凹陷部，两个凹陷部共同构成环槽。将一个华司分成上下叠加的两个半体，这样更有利于环槽的加工，降低了环槽加工的难度，有利于提高扬声器的生产效率。

由于华司靠近磁间隙的一侧凸出于磁铁，第一华司半体和第二华司半体凸出于磁铁的位置分别设有向远离环槽方向凸起的凸沿。凸沿的设置增加了华司位于磁间隙一侧的厚度，增加了均匀磁场的宽度，从而大大增加了扬声器工作的线性范围，提高了扬声器的振动幅度及灵敏度。

由于在外磁铁的内侧还固定有一短路环，此短路环同样能够抵消音圈产生的磁场，进一步的抑制高频阻抗的上升，提高扬声器的高频响应，进一步的提高了扬声器的整体声学性能。

由于内磁铁的外侧还固定有另一短路环，此短路环同样能够抵消音圈产生的磁场，更进一步的抑制了高频阻抗的上升，提高扬声器的高频响应，更进一步的提高了扬声器的整体声学性能。

综上所述，本实用新型扬声器解决了现有技术中扬声器灵敏度低等技术问题，本实用新型扬声器的高频性能好，工作线性范围大，灵敏度高，整体声学性能好。

附图说明

图1是本实用新型扬声器的分解结构示意图；