[实用新型]微波炉腔体及半导体微波炉

权利要求书

1.一种微波炉腔体，其特征在于，所述微波炉腔体开设有加热腔室，所述微波炉腔 体包括围成所述加热腔室的侧面及食物承载面，所述侧面包括上半面及下半面，所述下 半面连接所述食物承载面及所述上半面，所述上半面开设有至少一个微波馈入口。

2.如权利要求1所述的微波炉腔体，其特征在于，所述侧面包括第一子侧面、与所 述第一子侧面相对的第二子侧面及连接所述第一子侧面、所述第二子侧面及所述食物承 载面的第三子侧面；

所述微波炉腔体包括多个所述微波馈入口，多个所述微波馈入口开设在所述第一子 侧面的所述上半面及/或所述第三子侧面的所述上半面上；或

多个所述微波馈入口开设在所述第二子侧面的所述上半面及/或所述第三子侧面的 所述上半面上。

3.如权利要求2所述的微波炉腔体，其特征在于，所述第二子侧面上开设有两个所 述微波馈入口。

4.如权利要求2所述的微波炉腔体，其特征在于，所述第三子侧面上开设有两个所 述微波馈入口。

5.如权利要求2所述的微波炉腔体，其特征在于，所述加热腔室呈长方体状，所述 加热腔室的长度为378～438mm、宽度为330～390mm及高度为227～287mm。

6.如权利要求5所述的微波炉腔体，其特征在于，所述微波馈入口处的微波驻波值 小于3，两两所述微波馈入口之间的隔离度的绝对值大于或等于10dB。

7.如权利要求6所述的微波炉腔体，其特征在于，所述微波馈入口的形状相同。

8.如权利要求7所述的微波炉腔体，其特征在于，所述微波馈入口呈矩形状，所述 微波馈入口的长度为70～90mm及宽度为30～50mm。

9.如权利要求8所述的微波炉腔体，其特征在于，所述微波炉腔体包括与所述食物 承载面相对的顶面，所述顶面及所述食物承载面均连接所述侧面以共同形成所述加热腔 室；

所述第二子侧面上开设有两个所述微波馈入口，所述第三子侧面开设有两个所述微 波馈入口；

位于所述第二子侧面上的两个所述微波馈入口沿所述加热腔室的宽度方向并列设 置；

位于所述第三子侧面上的两个所述微波馈入口沿所述加热腔室的长度方向并列设 置。

10.如权利要求9所述的微波炉腔体，其特征在于，位于所述第二子侧面上的所述 微波馈入口与所述顶面的距离为60～70mm，位于所述第三子侧面上的所述微波馈入口 与所述顶面的距离为60～70mm。

11.如权利要求9所述的微波炉腔体，其特征在于，位于所述第二子侧面上的两个 所述微波馈入口中，靠近所述加热腔室的开口的所述微波馈入口与所述开口的距离为 70～90mm。

12.如权利要求9所述的微波炉腔体，其特征在于，位于所述第二子侧面上的两个 所述微波馈入口之间的距离为103～123mm。

13.如权利要求9所述的微波炉腔体，其特征在于，位于所述第三子侧面上的两个 所述微波馈入口中，靠近所述第二子侧面的所述微波馈入口与所述第一子侧面的距离为 64～84mm。

14.如权利要求9所述的微波炉腔体，其特征在于，位于所述第三子侧面上的两个 所述微波馈入口之间的距离为55～75mm。

15.一种半导体微波炉，其特征在于，包括如权利要求1～14任一项所述的微波炉 腔体。

16.如权利要求15所述的半导体微波炉，其特征在于，所述半导体微波炉包括天线， 所述天线用于发射微波发生器产生的微波，所述微波经过多个所述微波馈入口馈入所述 加热腔室内。