[实用新型]一种单晶炉

权利要求书

1.一种单晶炉，包括上炉膛(1)、下炉膛(2)，上炉膛(1)设置在下炉膛(2)上方且上炉膛(1)通过隔离阀(3)固定在下炉膛(2)顶部，所述上炉膛(1)顶部设置有籽晶旋转提升机构(4)，所述下炉膛(2)内设置有保温筒(5)，所述保温筒(5)内设置有石墨坩埚(6)，所述石墨坩埚(6)内设有石英坩埚(7)，石墨坩埚(6)外侧设置有加热器(8)，加热器(8)位于保温筒(5)内，所述加热器(8)通过加热电极(9)固定在下炉膛(2)底部，下炉膛(2)的顶部连接有氩气管(10)，所述氩气管(10)穿过下炉膛(2)伸入到下炉膛(2)内，所述下炉膛(2)的下部设置有真空抽口(11)，所述真空抽口(11)上连接有排放管(12)，排放管(12)末端连接有真空泵(13)，真空泵(13)的进口与排放管(12)的出口相连，所述石英坩埚(7)上方设置有籽晶夹持装置(14)，所述籽晶夹持装置(14)通过传动杆(15)与籽晶旋转提升机构(4)相连，所述石墨坩埚(6)底部设置有坩埚旋转顶升机构(16)，所述石墨坩埚(6)与坩埚旋转顶升机构(16)之间设置有圆形的石墨托板(17)，其特征在于：所述石墨托板(17)的外表面设置有环形挡板(32)，所述环形挡板(32)的上表面设置有溢流毯(33)，所述溢流毯(33)的上表面安装有溢流丝，所述溢流丝围绕石墨托板(17)且设置有至少三圈，溢流丝与报警装置相连。

2.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于：所述氩气管(10)上设置有气体加热装置(29)，所述气体加热装置(29)包括柱状基体(291)，所述柱状基体(291)内设置有圆柱形的气体加热空腔(292)，所述柱状基体(291)上设置有与气体加热空腔(292)连通的进气口与出气口，所述进气口通过气管与氩气源(293)连通，所述出气口与氩气管(10)连通，所述柱状基体(291)的表面缠绕有加热丝(294)，所述加热丝(294)连接在电源(295)上，所述加热丝(294)与电源(295)之间设置有温控表(296)，所述气体加热空腔(292)内设置有热电偶温度计(297)，所述热电偶温度计(297)与温控表(296)相连接。

3.如权利要求2所述的单晶炉，其特征在于：还包括放大电路(298)，所述热电偶温度计(297)与放大电路(298)的输入端连接，放大电路(298)的输出端与温控表(296)相连，所述放大电路(298)包括电阻第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、NMOS管第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6和第七NMOS管M7；热电偶温度计D的负极接第一NMOS管M1的源极和第二NMOS管M2的栅极，其正极接地；第一NMOS管M1的漏极通过第一电阻R1接电源VDD，其栅极接第二NMOS管M2的漏极，其源极通过第二电阻R2接地；第二NMOS管M2的漏极通过第三电阻R3接电源VDD，其栅极接第一NMOS管M1的源极，其源极接地；第三NMOS管M3的漏极通过第四电阻R4接电源VDD，其栅极接第四NMOS管M4的漏极，其源极通过第五电阻R5接地；第四NMOS管M4的漏极通过第六电阻R6接电源VDD，其源极接地；第五NMOS管M5的漏极通过第七电阻R7接电源VDD，其栅极接第三NMOS管M3的漏极；第六NMOS管M6的漏极通过第八电阻R8接电源VDD，其栅极接第一NMOS管M1的漏极；第五NMOS管M5和第六NMOS管M6的源极共同接第七NMOS管M7的漏极；第七NMOS管M7的栅极接第三NMOS管M3的源极和第四NMOS管M4的栅极，其源极接地；第八电阻R8与第六NMOS管M6的连接点为放大电路的输出端。

4.如权利要求3所述的单晶炉，其特征在于：所述下炉膛(2)内设置有环形布气板(20)，所述环形布气板(20)水平设置在石墨坩埚(6)的上方，所述环形布气板(20)为夹层结构，包括第一上层板(201)与第一下层板(202)，所述第一上层板(201)与第一下层板(202)之间密封形成第一夹层空间(203)，所述氩气管(10)与第一夹层空间(203)连通，所述第一下层板(202)上设置有多个第一透气孔(204)，所述多个第一透气孔(204)在第一下层板(202)上均布设置。