[实用新型]一种MEMS惯性测量组合测量电路

权利要求书

1.一种MEMS惯性测量组合测量电路，其特征是：至少包括：嵌入式微处理器、传感器组合、信号隔离驱动模块和CAN总线接口模块，嵌入式微处理器与传感器组合通过SPI接口电连接，嵌入式微处理器通过信号隔离驱动模块与CAN总线接口模块电连接。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS惯性测量组合测量电路，其特征是：所述的嵌入式微处理器是32位嵌入式微处理器STM32F103CBT6，传感器组合是AD公司ADIS16448MEMS集成传感器，32位嵌入式微处理器STM32F103CBT6的PA4和PA5分别与ADIS16448MEMS集成传感器的CS和SCLK端电连接，32位嵌入式微处理器STM32F103CBT6的PA6、PA7和PB0分别与ADIS16448MEMS集成传感器的DOUT、DIN、RST端电连接。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS惯性测量组合测量电路，其特征是：所述的信号隔离驱动模块是两路光耦隔离器件HCPL-0661；32位嵌入式微处理器STM32F103CBT6的PA12口、PA11口分别与HCPL-0661的CAN_TXD和CAN_RXD口电连接。

4.根据权利要求1所述的一种MEMS惯性测量组合测量电路，其特征是：所述的CAN总线接口模块是驱动芯片TJA1050T；两路光耦隔离器件HCPL-0661一路作为输出隔离与驱动芯片TJA1050T输入口电连接，TJA1050T输出口再与电气接口电连接，另一路作为输入隔离与驱动芯片TJA1050T输出口电连接，TJA1050T输入口再与电气接口电连接。

5.根据权利要求1所述的一种MEMS惯性测量组合测量电路，其特征是：所述的嵌入式微处理器是32位嵌入式微处理器STM32F103CBT6，传感器组合是AD公司ADIS16448MEMS集成传感器，32位嵌入式微处理器STM32F103CBT6的PA4和PA5分别与ADIS16448MEMS集成传感器的SCLK和CS端电连接，32位嵌入式微处理器STM32F103CBT6的PA6、PA7和PB0分别与ADIS16448MEMS集成传感器的DOUT、DIN、RST端电连接。

6.根据权利要求1所述的一种MEMS惯性测量组合测量电路，其特征是：所述的嵌入式微处理器、传感器组合、信号隔离驱动模块分别与二次电源模块电连接，二次电源模块包括降压开关型集成稳压电路、DC-DC电源模块、固定电压输出转换芯片(10)，固定电压输出转换芯片（10）是ASM1117-3.3，降压开关型集成稳压电路是LM2576；DC-DC电源模块是B0505S-1W；由LM2576将输入的27V电压转换成5V电压输出，B0505S-1W向传感器组合提供电源电压，ASM1117-3.3向嵌入式微处理器提供3.3V电压；LM2576向信号隔离驱动模块提供5V隔离电压。

7.根据权利要求1所述的一种MEMS惯性测量组合测量电路，其特征是：所述的嵌入式微处理器、传感器组合、二次电源模块、信号隔离驱动模块、CAN总线接口模块、电气接口、JTAG程序下载接口分别分布在一块电路板上，电气接口、JTAG程序下载接口在电路板的两侧。

8.根据权利要求4所述的一种MEMS惯性测量组合测量电路，其特征是：所述的电气接口是一个J30J-9ZK。